ARM公司與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓代工商聯(lián)電（NYSE:UMC; TWSE:2303）近日共同宣布達(dá)成長期合作協(xié)議，將為聯(lián)電的客戶提供已經(jīng)通過聯(lián)電28HPM工藝技術(shù)驗(yàn)證的ARM Artisan®物理IP解決方案。這項最新的28納米工藝技術(shù)的應(yīng)用范圍極廣，包括手機(jī)與無線等便攜設(shè)備，以及數(shù)字家庭和高速網(wǎng)絡(luò)等高性能應(yīng)用。此次合作集合了兩家公司的優(yōu)勢，將為雙方的客戶提供卓越的技術(shù)與支持。
　
　　ARM物理IP部門執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Simon Segars表示：“我們很高興聯(lián)電在28HPM工藝上采用ARM Artisan物理IP。至此，雙方客戶將能夠獲得完整的先進(jìn)物理IP解決方案用于實(shí)現(xiàn) ARM技術(shù)，例如ARM CortexTM-A系列處理器。拓展ARM和聯(lián)電的合作關(guān)系，將加深雙方在28納米節(jié)點(diǎn)上的工藝技術(shù)與先進(jìn)物理IP的開發(fā)方面的合作與創(chuàng)新，進(jìn)而優(yōu)化性能、功耗效率和芯片密度，并體現(xiàn)ARM為先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計提供多樣化技術(shù)平臺的承諾。”
　
　　聯(lián)電客戶工程與IP研發(fā)設(shè)計支持部門副總裁S.C. Chien表示：“我們很高興能進(jìn)一步拓展與ARM之間已超過10年的長期合作關(guān)系。這項由聯(lián)電贊助的發(fā)展計劃，將能夠?yàn)榭蛻粼诼?lián)電各個先進(jìn)的工藝技術(shù)上提供全方位的ARM物理IP解決方案，也有助于縮短產(chǎn)品在重要市場應(yīng)用上的上市時間。此外，這項合作進(jìn)一步凸顯了我們的承諾，將行業(yè)領(lǐng)先的資源，提供給采用聯(lián)電最尖端的28納米工藝節(jié)點(diǎn)的客戶。”
　
　　聯(lián)電的gate-last 28HPM工藝技術(shù)，具有卓越的性能、超低漏電的高K金屬柵結(jié)構(gòu)等特點(diǎn)，能夠提供多種器件電壓、記憶單元、低速或超速運(yùn)行能力，可以幫助片上系統(tǒng)設(shè)計師實(shí)現(xiàn)高性能和更長的電池續(xù)航能力。聯(lián)電的28HPM工藝技術(shù)預(yù)計于2012年中期投入試產(chǎn)。