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中芯國際和Virage Logic合作65nm低漏電工藝

2010-05-31

 

        Virage Logic 公司和中芯國際集成電路有限公司宣布其長期合作伙伴關系擴展到包括65nm(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術。根據協議條款,系統級芯片(SoC)設計人員將能夠使用 Virage Logic 開發的,基于中芯國際65納米低漏電工藝的 SiWare存儲器編譯器,SiWare邏輯庫,SiProMIPI 硅知識產權 (IP) 和 IntelliDDR IP。這一聯合協議是 Virage Logic 與業界領先的代工廠業務擴展戰略的一個組成部分,也是中芯國際承諾為其客戶提供一個完整的 IP 解決方案的兌現。     “作為中國首屈一指的代工廠,我們與 Virage Logic 公司拓展合作伙伴關系將使中芯國際能夠提供更多業界領先的65納米低漏電工藝的半導體 IP,這不僅能滿足來自中國本地的系統級芯片開發人員的需要,亦將助益我們開發全球半導體市場。”中芯國際資深副總裁兼首席商務官季克非表示。“目前我們已經有一些客戶正積極利用中芯國際的65納米低漏電工藝及 Virage Logic 公司相關 IP 進行芯片項目的開發。我們期待持續發展與 Virage Logic 的合作關系,不斷滿足日益增長的市場需求。”
 
   “我們很高興能夠在65納米低漏電工藝方面擴大與中芯國際的伙伴關系。Virage Logic 開發的業界領先的 IP 產品將能夠讓更多的客戶選擇中芯國際作為他們65nm制造的主要供應商,” Virage Logic 公司市場和銷售執行副總裁 Brani Buric 表示。“作為代工廠贊助的 IP 產品計劃之一,我們的 SiWare存儲器編譯器和 SiWare邏輯庫將免費提供給終端用戶使用,中芯國際對此充分肯定其戰略意義。除此之外我們的 SiProMIPI 和 IntelliDDR 標準高速接口 IP 也為用戶提供了一個經驗證的解決方案,使得各地的設計師都能在他們的65納米低漏電設計中選擇世界一流的 IP。”
 
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