美光（Micron）、東芝（Toshiba）、新帝（SanDisk）旗下16納米和15納米制程不但放量，生產(chǎn)藍(lán)圖也朝128GB容量TLC型NAND Flash芯片規(guī)劃，帶動整個大容量固態(tài)硬盤（SSD）商機(jī)大爆發(fā)。

　　美光宣示，16納米制程的TLC型NAND Flash芯片正式進(jìn)入量產(chǎn)，將是2015年消費(fèi)性產(chǎn)品的主力零組件；再者，東芝和新帝的15納米制程在生產(chǎn)初期頻傳出良率不佳，也傳出新帝因此遭到蘋果 （Apple）從供應(yīng)商中剔除，但經(jīng)過1~2季努力，15納米制程已上軌道，目前已先在自家產(chǎn)品中采用，預(yù)計第3季可大量供應(yīng)給客戶做生產(chǎn)。

　　美光、東芝、新帝的16納米和15納米制程N(yùn)AND Flash芯片規(guī)劃，都以128GB容量TLC型NAND Flash芯片，取代過去的64GB芯片，這也象征大容量SSD時代來臨。

　　美光16納米制程的TLC型NAND Flash芯片已獲得多家合作伙伴導(dǎo)入和技術(shù)支援，包括創(chuàng)見、慧榮和希捷（Seagate）。

　　美光儲存事業(yè)部行銷總監(jiān)Kevin Kilbuck表示，16納米TLC型NAND Flash技術(shù)可滿足市場對于可靠的高容量儲存裝置持續(xù)提升的需求，將是2015年消費(fèi)性應(yīng)用的最佳解決方案，2016年將朝生產(chǎn)3D NAND型的TLC芯片邁進(jìn)。

　　據(jù)美光藍(lán)圖規(guī)劃，目前美光生產(chǎn)的NAND Flash芯片中，采用16納米制程技術(shù)的比重超過50%，包含SLC/MLC/TLC型NAND Flash芯片，預(yù)計 2015年第4季將量產(chǎn)3D NAND技術(shù)，新加坡廠將是3D NAND生產(chǎn)基地，日前也投資40億美元強(qiáng)化技術(shù)。

　　美光指出，新TLC型NAND是使用16納米制程技術(shù)，可用在隨身碟、SSD等產(chǎn)品上，取得價格和效能的平衡，從2015年開始，對于TLC型NAND需求會大步提升，光是10億位元的NAND存儲器，總出貨量就約占快閃存儲器產(chǎn)品市場的50%。

　　東芝和新帝陣營中，是從19納米制程轉(zhuǎn)到15納米制程N(yùn)AND Flash技術(shù)上，在轉(zhuǎn)進(jìn)15納米制程過程中，傳出良率不佳問題，由于新帝后來被蘋果剔除于供應(yīng)鏈之外，傳出與15納米制程良率問題有關(guān)。但此問題陸續(xù)獲 得解決，15納米制程已經(jīng)陸續(xù)用于東芝和新帝自己的產(chǎn)品中，預(yù)計第3季會在市場上大量供貨。