有報導(dǎo)稱，大陸最大晶圓代工業(yè)者中芯國際（SMIC），今年先后宣布14納米制程將在2018年投產(chǎn)，以及2016年投資金額提升至25億美元。這兩項指標都超過了全球第3大晶圓代工業(yè)者聯(lián)電，意味中芯有機會超過聯(lián)電，成為全球第3大晶圓代工業(yè)者。

報導(dǎo)指出，目前在全球半導(dǎo)體制造工藝上，掌握10納米制程技術(shù)的臺積電是全球晶圓代工業(yè)的領(lǐng)先廠商。

聯(lián)電廈門廠擬引進28納米制程 目前仍卡關(guān)

格羅方德（GlobalFoundries）買下三星的14納米FinFET（鰭式場效電晶體）技術(shù)，成為第3家掌握該技術(shù)的晶圓代工廠，但該公司虧損多年，更曾傳出要賣給大陸企業(yè)，與中芯國際的競爭不明顯。

反觀與中芯競爭最直接的就是聯(lián)電，聯(lián)電早早在大陸設(shè)立和艦科技，目前在廈門已有12寸晶圓廠。

報導(dǎo)提到，本來聯(lián)電希望將28納米制程導(dǎo)入大陸，但由于聯(lián)電14納米制程在中國臺灣地區(qū)尚未量產(chǎn)，因此目前仍處于卡關(guān)階段。

今年中芯投資25億美元 聯(lián)電為22億美元

即使2017上半年聯(lián)電廈門廠如期采用14納米FinFET技術(shù)，廈門廠引進的也只是28納米制程，與中芯國際是同樣水準，因此競爭力不見得會比中芯更有優(yōu)勢。

至于投資金額，今年聯(lián)電投資金額為22億美元，而中芯國際在上半年就已調(diào)升至25億美元，中芯投資金額首度超越聯(lián)電，加速了中芯的半導(dǎo)體技術(shù)進程。

報導(dǎo)指出，若中芯的14納米FinFET技術(shù)如愿趕在2018年投產(chǎn)，屆時相較聯(lián)電的競爭優(yōu)勢將更明顯。

聯(lián)電廈門廠11月啟用　40納米制程良率99%

今年11月16日聯(lián)電宣布，于廈門設(shè)立的12寸合資晶圓廠聯(lián)芯集成電路（廈門）舉行揭幕典禮，且該廠打破過去紀錄，自2015年3月動工以來，僅20個月即開始量產(chǎn)客戶產(chǎn)品。

聯(lián)電指出，采用廈門廠40納米制程的通訊芯片，產(chǎn)品良率逾99%。