目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國(guó)際達(dá)成合作，發(fā)力中國(guó)市場(chǎng)。其中，中芯國(guó)際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。近日，兩者合作的結(jié)晶終于誕生，中芯國(guó)際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。
據(jù)介紹，這種芯片比NAND芯片性能更強(qiáng)，密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫(xiě)入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片（200mm2左右）即可實(shí)現(xiàn)TB級(jí)存儲(chǔ)，還具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。
另外，按計(jì)劃更先進(jìn)的28nm工藝ReRAM芯片也將在2017年上半年問(wèn)世。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題，請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。