11月12日晚，中芯國(guó)際發(fā)布了Q3季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收8.165億美元，同比增長(zhǎng)4%，環(huán)比下滑3.2%，凈利潤(rùn)8462.6萬(wàn)美元，相比去年同期的759.1萬(wàn)美元大漲了1014%。實(shí)際上中芯國(guó)際Q3季度的毛利是下滑，1.7億美元環(huán)比增長(zhǎng)12.3%，同比下滑了2.7%。
凈利暴增主要是去年同期運(yùn)營(yíng)虧損582.8萬(wàn)美元，今年Q3季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)4715萬(wàn)美元，還有另外4153.7萬(wàn)美元的其他收益，主要是出售了海外的阿韋扎諾晶圓廠，所以推高了盈利，歸屬于股東的凈利潤(rùn)有1.15.億美元，凈利潤(rùn)也有8462.8萬(wàn)美元。

具體到工藝上來(lái)看，收入占比分別是150/180nm (35.8％)、55/65nm (29.3％)、40/45nm (18.5％)、110/130nm (6.6％)、250/350nm (4.2％)、28nm (4.3％)、90nm (1.3％)，占大頭的依然是成熟的150/180nm、55/65nm工藝，量產(chǎn)最先進(jìn)的28nm工藝占比只有4.3%，不過(guò)相比上季度的2.8%已經(jīng)開(kāi)始增長(zhǎng)。

在技術(shù)方面，中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官，趙海軍博士和梁孟松博士評(píng)論說(shuō)：經(jīng)過(guò)兩年的積累，我們不僅進(jìn)一步縮短先進(jìn)技術(shù)的差距，也同時(shí)全面拓展新的成熟工藝技術(shù)平臺(tái)，有信心隨著5G終端應(yīng)用發(fā)展的浪潮步入新的發(fā)展階段。
FinFET技術(shù)研發(fā)不斷向前推進(jìn)：第一代FinFET已成功量產(chǎn)，四季度將貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收；第二代FinFET研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，客戶導(dǎo)入進(jìn)展順利。中芯國(guó)際所說(shuō)的第一代FinFET工藝應(yīng)該是14nm，這個(gè)季度會(huì)開(kāi)始量產(chǎn)出貨，不過(guò)之前他們表示大規(guī)模出貨要到2021年。

第二代FinFET工藝應(yīng)該是改進(jìn)型的12nm工藝，該工藝相比14nm晶體管尺寸進(jìn)一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯(cuò)誤率降低20%，現(xiàn)在是客戶導(dǎo)入，年底會(huì)有一些流片。按照中芯國(guó)際所說(shuō)的進(jìn)展，那么國(guó)內(nèi)今年底、最晚明年就會(huì)有12nm芯片進(jìn)入生產(chǎn)，這個(gè)工藝水平跟Intel的14nm是一代的了，與國(guó)際最先進(jìn)水平也就一兩代的差距了。

來(lái)源：21Dianyuan