據(jù)外媒報道，三星電子正在考慮用3nm工藝制造芯片，三星實際領導人李在镕在參觀位于京畿道華城的半導體研發(fā)中心時，特地探討了圍繞3nm的半導體戰(zhàn)略。

　　據(jù)了解，三星的半導體戰(zhàn)略計劃是采用正在研發(fā)中的最新3nm全柵極（GAA）工藝技術來制造尖端芯片，并提供給全球客戶。GAA被認為是當前FinFET技術的升級版，能確保芯片制造商進一步縮小芯片體積。

　　圍繞GAA，三星電子表示，3nm GAA技術的邏輯面積效率比5nm制造工藝提高35％，功耗降低50％，性能方面則提高約30％。

　　三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點的進度都會比臺積電要晚一些，導致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標放在了未來的3nm工藝上，預計2021年量產(chǎn)，這個時間點要早于臺積電。

　　據(jù)悉，臺積電原計劃于2023年量產(chǎn)3nm制程的處理器，但是根據(jù)臺積電晶圓廠業(yè)務高級副總裁JK Wang的最新說法，這個時間節(jié)點已經(jīng)提前一年，將于2022年可似乎3nm工藝的規(guī)模量產(chǎn)。規(guī)模量產(chǎn)，意味著臺積電已經(jīng)具備滿足多家客戶、不同產(chǎn)品上市需求的產(chǎn)能和良品率。從量產(chǎn)時間點來看，雖然三星在3nm工藝上要早于臺積電一年，不過最后結果如何，目前依舊不能下定論。