日前，日本京都半導體公司研發出一種高速光電二極管KP－H KPDEH12L－CC1C，可用于支持數據中心內部和數據中心之間基于PAM4的400Gbps傳輸系統。

    在研發過程中，研究人員將4條25Gbps的線路集束在一起，實現了以100Gbps為主的傳輸速度。然而，市場上對400Gps到800Gbps傳輸速度的需求正不斷增長。

    隨著InGaAs光電二極管的引入，京都半導體將繼續支持5G或更高傳輸系統不斷增長的速度和容量需求。

    KP－H KPDEH12L－CC1C的主要特點包括：

    —高速。借助電磁仿真軟件，研究人員將載體上高頻電極的大小、寬度及長度都進行了優化，使其在與市售跨阻放大器并用時，能夠對應40GHz帶寬。

    —易于安裝使用。 安裝KPDEH12L－CC1C的載體被特別優化設計過以實現高頻。光電二極管背面集成了一個聚光透鏡，使入射光能夠在光吸收區被采集，并使光纖與PD的對齊更加容易。

    KP－H光電二極管目前已通過通信設備方面標準可靠性測試Telcordia GR－468－Core的驗證。