中國一站式 IP 和定制芯片企業芯動科技（INNOSILICON）發布：已完成全球首個基于中芯國際 FinFET N+1 先進工藝的芯片流片和測試，所有 IP 全自主國產，功能一次測試通過。
官方介紹稱，自 2019 年始，芯動在中芯 N+1 工藝尚待成熟的情況下，團隊投入數千萬元設計優化，率先完成 NTO 流片?；?N+1 制程的首款芯片經過數月多輪測試迭代，助力中芯國際突破 N+1 工藝良率瓶頸。
芯動科技與全球知名代工廠已有多年國產 IP 生態共建的合作，為大量國內和全球客戶實現從成熟工藝（55nm、40nm、28nm、22nm 等）到先進工藝（如 FinFET 14nm、12nm、7nm 等）的不斷跨越，在各先進工藝中規模 IP 授權和定制批量生產高端 SOC，包括 GDDR6/Chiplet/Serdes 等先進技術規模量產。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。