5月7日消息，雖然半導體制程工藝的持續推進變得越來越困難，但是根據臺積電此前透露的信息顯示，其已在2nm工藝上取得了重大突破，樂觀的情況下，2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產，2024年可能將步入量產階段。不過，在臺積電之前，近日IBM搶先發布了全球首款2nm制程的芯片。
據《路透社》 的報導稱，IBM 于當地時間6日發布了全球首個2nm制程的芯片。根據其公布的資料顯示，憑借其2nm的工藝，IBM成功將約500億個晶體管容納在指甲大小的芯片上。而如果以指甲面積約150平方毫米來計算，IBM的這塊2nm制程芯片中的晶體管密度約為每平方毫米3.33億個晶體管（MTr /mm2）。
目前環繞閘極技術（Gate-All-Around，GAA）已經成為了業界公認的5nm節點之后取代FinFET技術的關鍵，三星已經計劃在其3nm工藝節點上采用GAA技術，而臺積電則相對保守的計劃在其第一代3nm工藝上將繼續用FinFET技術，后續才會升級到GAA。
根據此前三星公布3nm GAA工藝技術指標顯示，相比其7nm工藝，3nm GAA工藝可實現芯片面積減少45%，功耗降低50%或性能提高35%。
此次IBM公布的2nm芯片也正是采用了最新的GAA技術。IBM表示，其2nm工藝采用業界首創的底部介質隔離技術，可實現12nm柵極長度；同時采用了可以用于精確的閘門控制的第二代干法工藝；基于EUV光刻可以產生從15nm到70nm的可變納米片寬度。
IBM稱，與當前許多筆記本電腦和智能手機中使用的主流7nm制程芯片相較，如果在IBM的2nm制程工藝的加持下，將可使其運算速度提升45%，而功耗方面有望降低75%。即使與5nm芯片相比，2nm的加持下芯片面積也將大幅縮小，性能大幅提升。
IBM強調，在新發布的2nm制程芯片中，其晶體管的體積非常小，使芯片中的晶體管密度更高，讓運算能更快，也更加省電。而針對其中可能會有的漏電問題，IBM表示目前已經可以克服。
根據IBM 研究室主任Darío Gil 指出，2nm制程芯片的成敗，其最重要的關鍵還是在晶體管技術上，因為運算領域的一切都取決于晶體管的效能是否變得更好。不過，這不能保證晶體管會一代又一代地向前發展。因此，每當有更先進的晶體管技術出現時，這都是業界的一件大事。只是，雖然IBM 率先業界開發出2nm制程芯片及技術，如果要將其真的普及于市場，IBM 則預估還要幾年的時間。
IBM 曾是全球重要的芯片制造商。不過，現在其已將大多數芯片的生產外包給了韓國三星，包括其在下半年將推出的最新Power 10服務器處理器。但是，IBM 在美國紐約州的Albany 仍保留著一個芯片研發中心，該中心負責對芯片進行研發與測試工作。此次IBM率先發布的2nm制程芯片及其生產技術，也代表著其目前在芯片制造技術上仍位居全球領先位置。
需要指出的是，IBM通過與三星及英特爾所簽定的聯合技術開發協議，也讓兩家具備制造能力的芯片制造商可以使用IBM 研發的芯片技術。也就是說，三星、英特爾有望借助于與IBM的合作，未來能夠更快的實現2nm工藝的量產。