在半導(dǎo)體制造中，3nm工藝是繼5nm MOSFET技術(shù)之后的下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。全球晶圓制造三巨頭（英特爾、三星和臺(tái)積電）都于2019年宣布了3 nm研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃。三星的3nm工藝率先采用GAAFET（柵極全繞型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)，他們自稱(chēng)為MBCFET（多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管）；而臺(tái)積電的3nm工藝仍繼續(xù)使用增強(qiáng)的FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)，2nm工藝將轉(zhuǎn)向GAAFET結(jié)構(gòu)；英特爾有望于2023年發(fā)布基于GAA結(jié)構(gòu)的5nm工藝（性能相當(dāng)于前兩家的3nm工藝）。此外，IBM最近發(fā)布的2nm工藝芯片一直就采用跟其7nm和5nm芯片一樣的納米片（nanosheet）結(jié)構(gòu)，也就是業(yè)界通稱(chēng)的GAA技術(shù)。

　　3nm工藝競(jìng)賽

　　“3nm”這一術(shù)語(yǔ)已經(jīng)與晶體管的任何實(shí)際物理尺寸（諸如柵極長(zhǎng)度、金屬間距或柵極間距）無(wú)關(guān)了。它已經(jīng)成為半導(dǎo)體制造行業(yè)使用的一個(gè)商業(yè)或營(yíng)銷(xiāo)術(shù)語(yǔ)，指的是比前代（5nm及之前的工藝）芯片在晶體管密度、運(yùn)行速度和功耗方面都更為先進(jìn)的新一代硅半導(dǎo)體制造工藝。例如，臺(tái)積電宣稱(chēng)，與之前的5nm相比，其3nm FinFET芯片在相同的速度下可將功耗降低25％至30％，相同的功耗前提下可將速度提高10％至15％，并將晶體管密度提高約33％。

　　下面我們簡(jiǎn)要回顧一下3nm工藝的研發(fā)和商業(yè)化進(jìn)程：

　　2016年底，臺(tái)積電宣布計(jì)劃建設(shè)一個(gè)5 nm至3 nm節(jié)點(diǎn)晶圓制造廠，承諾投資額約為157億美元。

　　2017年，臺(tái)積電宣布在臺(tái)灣臺(tái)南科學(xué)園開(kāi)始建設(shè)3納米半導(dǎo)體制造廠，計(jì)劃在2023年開(kāi)始量產(chǎn)3 nm工藝芯片。

　　2018年初，IMEC和Cadence宣布使用極紫外光刻（EUV）和193 nm浸沒(méi)光刻技術(shù)成功流片3 nm測(cè)試芯片。

　　2019年初，三星提出計(jì)劃在2021年使用其自研的納米片（不是納米線nanowire）MBCFET晶體管結(jié)構(gòu)技術(shù)制造3 nm芯片。與7nm相比，這種芯片性能可提高35％，功耗降低50％，面積減少45％。

　　2019年12月，英特爾宣布于2025年量產(chǎn)3納米芯片的計(jì)劃，以及2029年生產(chǎn)1.4 nm的規(guī)劃。

　　2020年1月，三星宣布開(kāi)發(fā)出世界上第一個(gè)3納米GAAFET工藝原型，并宣稱(chēng)將在2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　2020年8月，臺(tái)積電發(fā)布其N(xiāo)3 3 nm工藝的細(xì)節(jié)。這是一種有重大改進(jìn)的新工藝，而不是對(duì)N5 5 nm工藝的迭代升級(jí)。與N5相比，N3可將性能提高10–15％，或?qū)⒐慕档?5–35％，邏輯密度增至1.7倍。臺(tái)積電計(jì)劃在2021年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，并在2022年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　2021年5月，IBM宣布研發(fā)出2 nm芯片制造技術(shù)，并成功制造出“指甲大小”的芯片原型，其晶體管數(shù)量超過(guò)500億個(gè)。

　　臺(tái)積電：2 nm轉(zhuǎn)向GAAFET，與大學(xué)聯(lián)合探索新材料“半金屬Bi”

　　2018年末，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音預(yù)測(cè)芯片工藝將繼續(xù)擴(kuò)展到3 nm和2 nm節(jié)點(diǎn)，然而其他半導(dǎo)體專(zhuān)家尚不確定3 nm以下的節(jié)點(diǎn)是否可行。臺(tái)積電于2019年開(kāi)始研究2 nm，2020年8月在新竹建立2 nm技術(shù)研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，預(yù)計(jì)今年將投入運(yùn)營(yíng)。在臺(tái)積電從3nm遷移到2nm時(shí)，也將從FinFET轉(zhuǎn)向GAAFET晶體管結(jié)構(gòu)。據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電有望在2023年或2024年進(jìn)入2 nm風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。

　　臺(tái)積電的3nm, 2nm及至1nm工藝規(guī)劃，目前將0.1nm視為“未來(lái)計(jì)劃”，技術(shù)路線尚不明確。（來(lái)源：TSMC）

　　近日臺(tái)灣和大陸媒體將臺(tái)積電與臺(tái)灣大學(xué)和MIT聯(lián)合研發(fā)的新型半導(dǎo)體材料“半金屬Bi”夸大為“1nm重大突破”，似乎壓過(guò)了IBM本月初發(fā)布的2nm芯片。為證實(shí)這種“半金屬Bi”的特性與未來(lái)潛力，ASPENCORE《電子工程專(zhuān)輯》分析師專(zhuān)門(mén)研讀了5月12日在《自然》科學(xué)雜志上刊發(fā)的一篇題為《半金屬與單分子層半導(dǎo)體間超低接觸電阻》（《Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors》）文章。

　　據(jù)悉，這一創(chuàng)新的科研成果是由TSMC與國(guó)立臺(tái)灣大學(xué)和MIT共同研發(fā)出來(lái)的。在芯片工藝不斷發(fā)展的過(guò)程中，更低的通流電阻，和更小的導(dǎo)通損耗一直是業(yè)界研究的重點(diǎn)，而金屬和半導(dǎo)體界面處的勢(shì)壘，從根本上決定了接觸電阻和電流傳輸能力，這也是制約二維半導(dǎo)體性能提升的關(guān)鍵。

　　單分子層 MoS2場(chǎng)效應(yīng)管的歐姆接觸和肖特基接觸比較（圖源：Nature）

　　此項(xiàng)研究成果表明，半金屬鉍Bi與單分子層二鹵代烴（TMDs）半導(dǎo)體材料間的歐姆接觸，其中金屬感應(yīng)間隙態(tài)（MIGS）被充分抑制，TMDs中的簡(jiǎn)并態(tài)在與鉍接觸時(shí)自發(fā)形成。通過(guò)這種方法，研究人員在單層二硫化鉬（MoS2）上實(shí)現(xiàn)了零肖特基勢(shì)壘高度、123Ω/um的接觸電阻和1135uA/um的通態(tài)電流密度（這兩個(gè)值分別是有記錄以來(lái)的最低值和最高值）。

　　歐姆接觸的原理和晶體結(jié)構(gòu)（圖源：Nature）

　　并且該研究團(tuán)隊(duì)在理論計(jì)算和試驗(yàn)驗(yàn)證方面均取得突破性進(jìn)展，在TSMC成功制造出采用Bi-TMDs技術(shù)的10nm一下工藝的晶圓，還為單分子層的TMD FET建立了一個(gè)全新的基準(zhǔn)，和相同工藝下的硅晶體管進(jìn)行橫向比較得出：在低的歐姆接觸式集成電路大尺度微縮晶體管的關(guān)鍵技術(shù)，采用鉍（Bi）金屬材料能夠獲得目前最大的通流密度和最小的接觸電阻，可滿足下一代芯片工藝的技術(shù)目標(biāo)。

　　國(guó)立臺(tái)灣大學(xué)電機(jī)系暨光電所吳志毅教授進(jìn)一步說(shuō)明，使用鉍為接觸電極的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)后，二維材料晶體管的效能不但與硅基半導(dǎo)體相當(dāng)，又與目前主流的硅基工藝技術(shù)兼容，有助于突破摩爾定律的未來(lái)極限。雖然目前仍處于研究階段，但該成果能為新一代芯片提供省電和高速等優(yōu)點(diǎn)。

　　在學(xué)術(shù)前沿研究領(lǐng)域獲得新技術(shù)突破的同時(shí)，臺(tái)積電在新一代工藝的研發(fā)和量產(chǎn)上也在穩(wěn)步前行。根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，其3nm工廠已經(jīng)建成，并正在努力提高產(chǎn)量。樂(lè)觀估計(jì)臺(tái)積電將在明年完成認(rèn)證和試生產(chǎn)，并在2022年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。據(jù)稱(chēng)自研M1芯片的蘋(píng)果芯片部門(mén)也開(kāi)始與臺(tái)積電討論3nm芯片的訂單事宜，有計(jì)劃將3nm的M系列用于MacBook和iMac系列電腦，從而占據(jù)首發(fā)優(yōu)勢(shì)。

　　據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電最近宣布在2nm工藝方面取得重大內(nèi)部突破，預(yù)計(jì)在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試生產(chǎn)，并在2024年投入大規(guī)模生產(chǎn)。而針對(duì)前幾天《自然》的論文和絕緣材料提及到的1nm絕緣層，很大程度上是臺(tái)積電為了2025年實(shí)現(xiàn)1nm風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)做的提前性研究。但是也有觀點(diǎn)稱(chēng)，目前各家的GAA和三星MCB還有部分結(jié)構(gòu)和工藝流程問(wèn)題沒(méi)有解決，實(shí)現(xiàn)真正量產(chǎn)和高良率似乎還有些路要走。三星和臺(tái)積電目前的3nm也有產(chǎn)能問(wèn)題，更何況比3nm復(fù)雜多倍的2nm量產(chǎn)了。

　　三星：3nm節(jié)點(diǎn)率先轉(zhuǎn)向GAAFET結(jié)構(gòu)

　　三星的5nm并不是一個(gè)新工藝節(jié)點(diǎn)，而是其7nm平臺(tái)的衍生迭代產(chǎn)品。其晶體管密度提高甚至不及臺(tái)積電的N5，可能也不會(huì)高于英特爾的10nm。然而，三星的3nm節(jié)點(diǎn)將是一個(gè)全新的起點(diǎn)，因?yàn)樗跇I(yè)界率先采用MCBFET晶體管結(jié)構(gòu)。該節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在的目標(biāo)是2022年進(jìn)入量產(chǎn)，雖然在尺寸和密度方面沒(méi)有太大提升，但它可能會(huì)在技術(shù)和上市時(shí)間上取得一定的先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

　　三星率先推出GAAFET與英特爾2011年推出22nm的FinFET類(lèi)似，當(dāng)時(shí)FinFET的密度與臺(tái)積電的平面型28nm相當(dāng)。盡管三星不會(huì)擁有密度優(yōu)勢(shì)，但在市場(chǎng)上率先推出GAAFET技術(shù)仍將領(lǐng)先臺(tái)積電約三年。三星在2019年宣布計(jì)劃在十年內(nèi)投資超過(guò)1000億美元以趕上臺(tái)積電，如果其MCBFET技術(shù)達(dá)到預(yù)期，將有助于縮短與臺(tái)積電的差距。

　　晶體管結(jié)構(gòu)技術(shù)進(jìn)化圖（圖源：三星）

　　基于GAA的FET（GAAFET）有多種形式，大多數(shù)研究都是基于納米線的GAAFET，它們具有較小的溝道寬度。這些類(lèi)型的GAAFET通常用于低功耗設(shè)計(jì)，但很難制造出來(lái)。另一種實(shí)現(xiàn)方式是使溝道像水平鋪放的紙一樣，通過(guò)增加溝道面積來(lái)為性能和尺寸帶來(lái)好處。三星稱(chēng)其基于納米片的GAAFET為多橋溝道FET或MBCFET。

　　在本月初舉行的線上IEEE國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，三星工程師展示了其MBCFET結(jié)構(gòu)的靈活性如何以極低的電壓實(shí)現(xiàn)片上存儲(chǔ)單元的寫(xiě)入操作，其電壓可以降低數(shù)百毫伏，從而有可能大大降低未來(lái)芯片的功耗。三星電子副總裁Taejoong Song在會(huì)議上表示：“業(yè)界使用FinFET晶體管已有十年之久，但是在3納米工藝中，我們?cè)诰w管四圍都使用了柵極包圍起來(lái)，這種新型晶體管具有高速、低功耗和小尺寸的優(yōu)點(diǎn)”。

      Song及其團(tuán)隊(duì)正在利用這種靈活性來(lái)提高下一代SRAM性能。SRAM是一種六晶體管存儲(chǔ)單元，主要用作處理器上的高速緩存，它也是邏輯芯片封裝最密集的部分之一。三星測(cè)試了兩種方案來(lái)提高SRAM的寫(xiě)入電壓裕度，這是切換單元狀態(tài)所需的最低電壓。其目的是降低寫(xiě)入SRAM單元所需的電壓，而又不會(huì)使該單元變得不穩(wěn)定，以至于其讀取會(huì)意外翻轉(zhuǎn)。他們提出的兩種方案都利用了納米片溝道寬帶Weff的調(diào)節(jié)靈活性，特別是相對(duì)于上拉晶體管加寬了傳輸柵極晶體管，該單元的寫(xiě)入電壓要比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)低230 mv。

　　三星在其首個(gè)3GAE工藝設(shè)計(jì)中做出了許多承諾，其一是將工作電壓從0.75伏降低到0.70伏。三星宣布的總體PPA值也令人印象深刻：與7nm相比，3GAE將提供1.35倍的性能，0.5倍的功耗和0.65倍的裸片尺寸。

　　三星表示，這些性能數(shù)字是基于對(duì)頻率要求較高的芯片設(shè)計(jì)使用較大寬度的單元，而對(duì)省電更為重視的設(shè)計(jì)可以使用較小寬度的單元。除了3GAE，三星還透露其第二代3nm工藝將稱(chēng)為3GAP，重點(diǎn)是高性能處理能力。3GAP流程將以優(yōu)化為重點(diǎn)，并利用三星從3GAE中學(xué)到的知識(shí)。3GAE將于2021年投入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，并有可能在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　英特爾：2023實(shí)現(xiàn)納米帶GAA 5nm，2029年實(shí)現(xiàn)1.4nm工藝

　　在2020年國(guó)際VLSI會(huì)議上，英特爾CTO Mike Mayberry在其主題演講中討論了許多新的制造技術(shù)，包括從FinFET擴(kuò)展到GAA，甚至到2D納米片結(jié)構(gòu)，最終完全放棄CMOS。Mayberry博士預(yù)計(jì)納米線晶體管能夠在五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這將為英特爾指明前進(jìn)的方向。

　　英特爾將業(yè)界通稱(chēng)的GAA稱(chēng)為納米帶（Nanoribbon），雖然還沒(méi)有像TSMC和三星那樣給出明確的GAA規(guī)劃圖，但預(yù)計(jì)新任CEO將加速英特爾追趕TSMC和三星的步伐。盡管10nm工藝一再拖延，英特爾仍堅(jiān)信摩爾定律的持續(xù)發(fā)展，從FinFET向GAA的轉(zhuǎn)換也許是一個(gè)很好的契機(jī)。

　　今年英特爾會(huì)發(fā)布新的工藝節(jié)點(diǎn)（7納米），2022年推出7+版本，然后是2023的7 ++版本，以及一個(gè)全新的工藝節(jié)點(diǎn)，據(jù)信為5nm。照此推斷，2024將是5+，然后2025是5 ++和3nm。如果如Mayberry博士說(shuō)的那樣，要在5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)，我們預(yù)期英特爾將在2023-2024年實(shí)現(xiàn)5nm的GAA。

　　在最近舉行的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上，英特爾展示了一種不同的晶體管堆疊方式：將一對(duì)NMOS和PMOS上下堆疊在一起。該方案可有效地將簡(jiǎn)單CMOS電路的面積減少一半，這意味著未來(lái)IC的晶體管密度可能會(huì)翻倍。

　　英特爾工程師首先將這一方案應(yīng)用于納米片晶體管結(jié)構(gòu)，并構(gòu)建了最簡(jiǎn)單的CMOS邏輯電路--反相器。通過(guò)堆疊晶體管并調(diào)整互連，這種反相器的面積減少了一半。這一思路是否可行還有待驗(yàn)證，不過(guò)其他研究機(jī)構(gòu)和公司也在尋求堆疊納米片的設(shè)計(jì)方案，有的將它們稱(chēng)為互補(bǔ)FET或CFET。比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec率先提出了CFET概念，而臺(tái)灣的研究人員也發(fā)布了一種CFET結(jié)構(gòu)，其中PMOS和NMOS有各自的納米片。

　　英特爾發(fā)布的未來(lái)十年制造路線圖。（圖片來(lái)源：Anandtech）

　　英特爾將按照每?jī)赡暌淮沃卮蠊?jié)點(diǎn)升級(jí)的節(jié)奏進(jìn)行。我們看到2019年推出了10nm（10nm +），今年將發(fā)布7nm，2023年發(fā)布5nm（將采用GAA結(jié)構(gòu)），2025年發(fā)布3nm，2027年發(fā)布2nm，到2029年將發(fā)布1.4nm。

　　結(jié)語(yǔ)

　　10年前英特爾率先研發(fā)出采用FinFET結(jié)構(gòu)的22nm工藝，但卻沒(méi)能保持兩年更新一代的節(jié)奏，逐漸被臺(tái)積電和三星甩在后面了。臺(tái)積電將FinFET發(fā)揮到了極致，也因?yàn)閷?zhuān)注和全心的投入而贏得蘋(píng)果和英偉達(dá)等業(yè)界巨頭的信任。三星一直在追趕，現(xiàn)在把握住了GAAFET這一新型晶體管結(jié)構(gòu)，能否趕上甚至超越臺(tái)積電就看GAA了。