這幾天，第三代半導體又雙叒叕火了，火的程度不亞于年初小米推出氮化鎵快充引起的熱浪。
這次引起關注的主要原因是網上流傳的一個消息，據業內權威人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定的“十四五”規劃。
第三代半導體主要應用于功率器件和射頻器件，對制程工藝要求沒那么高，但又是一個嚴重落后的領域，如果在這方面能夠實現逆轉，
也是一種策略。
什么是第三代半導體?
從半導體的斷代法來看，硅(Si)、鍺(Ge)為第一代半導體，特別是 Si，構成了一切邏輯器件的基礎，我們的 CPU、GPU 的算力，都離不開 Si 的功勞;砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為第二代半導體的代表，其中 GaAs 在射頻功放器件中扮演重要角色，InP 在光通信器件中應用廣泛……
而到了半導體的第三代，就涌現出了碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石(C)、氮化鋁(AlN)等新興材料。
商道創投網5月21日官方獲悉：第三代半導體材料SiC(碳化硅)單晶襯底研發、制備以及銷售公司同光晶體于近期完成數億元D輪的融資。本輪融資由聯新資本領投，浩瀾資本、北汽產業投資基金、云暉資本、梵宇資本聯合投資。
同光晶體：助力“中國芯”
成立于2012年5月，總部設于河北省，同光晶體主要從事世界上新一代半導體材料SiC單晶片的研發和生產，即第三代半導體材料碳化硅襯底。公司產品已涵蓋直徑4-6英寸導電型和高純半絕緣型碳化硅單晶襯底片，達到世界先進水平。目前，公司已建成完整的碳化硅襯底生產線，是國內著名的碳化硅襯底生產企業。
同光晶體的第三代半導體研發成功，小小的晶片為電子業帶來革命性的變革，器件主要應用于電子電氣領域包括5G通訊、新能源汽車、高壓快充、國防軍工、衛星、雷達等。打破發達國家長期以來對我國的技術封鎖和產品禁運，有效破除制約碳化硅中下游產業發展的瓶頸，帶動電力電子、光電、微波射頻等行業千億產業的發展，為我國第三代半導體產業做大做強奠定了重要基礎。
同光晶體在科研方面與院士團隊建立了緊密的聯系，成立了“院士工作站”、“SiC單晶材料與應用研究聯合實驗室”，設立了“中國科學院半導體研究成果轉化基地”，作為“高層次創新團隊”得到河北省人民政府表彰;同時承擔了多項國家科研項目公司內設立院士工作站及博士后流動站。公司的聯合研發中心與院士團隊合作進行課題研究。搭建第三代半導體材料檢測平臺，有效推動科技創新要素加速聚合，促進科技創新資源的集成開放和共建共享，填補了國內高端晶片的市場空白。
半導體材料作為產業發展的基礎，經歷了數代的更迭，以碳化硅(Sic)及氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，可以實現更好的電子濃度和運動控制，特別是在苛刻條件下備受青睞，成為未來超越摩爾定律的倚賴。
與第一二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率等性能優勢，所以又叫寬禁帶半導體材料。根據CASAResearch數據，消費類電源、商業電源和新能源汽車為Sic、GaN電子電力器件的前三大應用領域，分別占比28%、26%和11%。
在第一二代半導體材料的發展上，我國起步時間遠遠慢于其他國家，導致在材料上處處受制于人，但是在第三代半導體材料領域國內廠商起步與國外廠商相差不多，有希望實現技術上的追趕，完成國產替代。
第三代半導體材料主要應用于功率器件和射頻器件，目前以碳化硅、氮化鎵為代表，兩者可廣泛應用于5G通訊、新能源汽車、軌道交通、智能電網等領域。在當前國際形勢下，中國第三代半導體供應鏈正在加速本土化。隨著5G、新能源汽車、消費電子等行業的快速發展，碳化硅和氮化鎵產業和相關企業將迎來空前的發展機遇。亞化咨詢預計，未來幾年內全球SiC和GaN器件市場將保持25%-40%的高增速。
然而，隨著國內第三代半導體材料的生產技術不斷優化，質量品控的提升、產業鏈上下游的協同發展，預計在2025年SiC單晶襯底成本便會降至Si基板的2倍，屆時在國內市場將迎來第三代半導體材料應用爆發期，應用市場將達到170億元規模，其中絕大部分應用將集中在功率器件方面。
半導體業內有句俗語說，“一代材料一代器件，一代器件一代應用”，新興材料的崛起是半導體產業發展的必然路徑。鄭清超告訴36氪，公司早在初創時期便意識到半導體材料的進步對下游應用有直接且深遠的影響。同光晶體從2012年創建以來便決心扎根在半導體產業的最上游，通過不斷打磨產品生產技術，不斷擴充產能，為下游廠商提供良率更高，性能參數更優，成本更低的SiC單晶襯底材料。
伴隨著新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等行業的快速發展，碳化硅器件及碳化硅基氮化鎵器件產品的需求也將不斷攀升，從而拉動全球碳化硅襯底的需求。
在碳化硅襯底制造這塊兒，隨著全球6英寸碳化硅襯底生產技術的成熟完善、產品質量與穩定性的逐步提高，國際上第三代半導體外延及器件廠商對于量產用碳化硅襯底的需求已大體從以往的4英寸產品為主為升級到6英寸產品為主。盡管Cree正在建設及擴產其全世界第一個8英寸碳化硅襯底的工廠，蛋在8英寸碳化硅襯底尚未實現成熟商業化的前提下，預計未來約5年內6英寸碳化硅襯底產品仍是碳化硅襯底市場的主流。
為什么說第三代半導體是中國大陸半導體的希望?
第一，第三代半導體相比較第一代第二代半導體處于發展初期，國內和國際巨頭基本處于同一起跑線。
第二，中國有第三代半導體的應用市場，可以根據市場定義產品，而不是像之前跟著國際巨頭做國產化替代。
第三，第三代半導體難點不在設備、不在邏輯電路設計，而在于工藝，工藝開發具有偶然性，相比較邏輯芯片難度降低。
第四，對設備要求相對較低，投資額小，國內可以有很多玩家。在資本的推動下，可以全國遍地開花，最終走出來幾家第三代半導體公司的概率很大。
第三代半導體的風口來了，那么各懷心思蹭熱點的現象也層出不窮。氮化鎵(GaN)，在應用上早已不是新鮮事，氮化鎵(GaN)之所以被選出來作為半導體材料的初衷，為了藍光LED而生。現在政策利好的第三代半導體，主要應用于射頻、功率等領域，是一個升級的應用過程。
