11月15日，山東省工業和信息化廳公示了第三代半導體產業發展《山東省第三代半導體產業發展“十四五”規劃（征求意見稿）》。公開征求意見時間為2021年11月15日至11月19日。

圖片來源：山東省工業和信息化廳官網截圖

《征求意見稿》中提出了發展目標。加快完善第三代半導體產業鏈體系，著力突破關鍵核心技術，切實提高山東省第三代半導體產業創新能力。到2025年，碳化硅、氮化鎵等關鍵材料國產化率實現大幅提高，芯片設計能力達到國際先進水平，全產業鏈基本實現自主可控，打造百億級國家第三代半導體產業高地。

具體包括三方面：產業規模邁向新臺階。到2025年，建成較大規模先進特色工藝制程生產線，推動形成要素完備的第三代半導體產業聚集區，帶動模塊及系統應用方面相關產業產值突破300億元。建成國際先進的第三代半導體產業基地，帶動形成基于第三代半導體的電力電子、微波電子、大功率半導體照明生產、應用系統為核心的產業集群。

創新能力取得新突破。到2025年，突破核心關鍵技術，建設第三代半導體國家地方聯合工程研究中心、國家博士后科研工作站、院士工作站，搭建國際先進的第三代半導體公共研發、檢測和服務平臺，全產業鏈創新能力得到有效提升。

市場主體實現新跨越。培育壯大掌握核心技術、具有國際競爭力和影響力的龍頭企業，帶動發展掌握核心關鍵技術的特色企業，夯實第三代半導體產業發展根基。

《征求意見稿》指出，山東省第三代半導體產業發展區域布局。

產業布局

按照“政府引導、龍頭帶動、園區孵化、集群推進”的總體思路，發揮國家集成電路設計濟南產業化基地、青島嶗山微電子產業園、中德生態園集成電路產業基地、濟寧省級信息技術產業基地等集聚優勢，加大龍頭企業支持力度，加快構建“4+N”區域布局。

濟南。實施高性能集成電路突破計劃，優化升級國家集成電路設計產業化基地，依托山東天岳碳化硅襯底材料技術優勢，結合濟南比亞迪半導體芯片等上下游配套項目建設，打造基于硅基和碳化硅基功率半導體器件生產集聚區，建成國際先進的碳化硅半導體產業基地。

青島。立足本地整機（系統）市場應用優勢，建設好芯恩、惠科等集成電路重大項目，以發展模擬及數模混合集成電路、智能傳感器、半導體功率器件、光電子芯片和器件、第三代半導體為主線，通過抓龍頭、補短板、促融合、育生態，實現產業規模快速擴張、支撐能力顯著增強，加快培育自主可控產業生態。

濟寧。重點做大單晶硅、晶圓片、外延片等上游半導體材料，強鏈發展中游半導體分立器件、功率器件及功能芯片產業。加強同省內外高校合作，面向國內外引進吸收先進第三代半導體應用加工技術，提升產業發展位次。

濰坊。做好浪潮華光氮化鎵材料與器件產業化項目建設，優化項目建設環境，全力以赴提供優質服務、跟蹤服務、精準服務，努力為項目推進創造良好條件。

其他市。依托本地產業發展基礎和特色，突出差異化發展，加強同重點市的協調聯動，支持做好項目招引，逐步做大產業規模。

與此同時，《征求意見稿》還明確了山東省第三代半導體產業發展的重點任務。

堅持全產業鏈發展，提升產業競爭能級

以技術和產品發展相對成熟的碳化硅晶體材料為切入點，迅速做大碳化硅半導體產業規模。聚焦材料、外延、芯片、封裝和應用等第三代半導體產業鏈重點環節，加強產學研聯合，以合資、合作方式培育和吸引高水平企業，促進產業集聚和產業鏈協同，打造第三代半導體電力電子、微波電子和半導體照明等第三代半導體產業發展高地。

1.提升材料制備能力。加速推進大尺寸GaN、SiC等單晶體材料生長及量產技術，突破GaN、SiC材料大直徑、低應力和低位錯缺陷等關鍵技術，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC襯底單晶材料產業化能力。突破超硬晶體材料切割和拋光等關鍵核心技術，提升4-8英寸GaN、SiC襯底材料精密加工能力。加大對薄膜材料外延生長技術的支持力度，補足第三代半導體外延材料生長環節。推動氧化鎵（Ga2O3）等新一代超寬禁帶半導體材料的研發與產業化。

2.發展器件設計。大力扶持基于第三代半導體GaN、SiC的高壓大功率、微型發光二極管、毫米波、太赫茲等高端器件設計產業，圍繞SiC功率器件的新能源汽車應用和GaN功率器件的消費類快充市場，促進產學研合作以及成果轉化，引導器件設計企業上規模、上水平，提升設計產業集聚度，大力發展第三代半導體仿真設計軟件自主品牌產品，建設具有全球競爭力的器件設計和軟件開發集聚區。

3.布局器件制造。推進基于GaN、SiC的垂直型SBD（肖特基二極管）、HEMT（高電子遷移率晶體管）、MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（大功率絕緣柵雙極型晶體管）、Micro-LED（微型發光二極管）、高端傳感器、MEMS（微機電系統），以及激光器等器件和模塊的研發制造，支持科研院所微納加工平臺建設。大力推動晶圓生產線建設項目，優先發展特色工藝制程器件制造，在關鍵電力電子器件方面形成系列產品，綜合性能達到國際先進水平，SiC二極管、晶體管及其模塊產品和GaN器件產品、激光芯片及其器件產品具有國際競爭力。

4.健全封測產業。積極發展高端封裝測試，引進先進封測生產線和技術研發中心，大力發展晶圓級、系統級先進封裝技術以及先進晶圓級測試技術。大力支持科研院所在第三代半導體相關的電氣性能、散熱設計、可靠性、封裝材料等方面的研發工作，發展基于第三代半導體的功率和電源管理芯片、射頻芯片、顯示芯片等產品的封測產業。

5.開發技術裝備。布局“生長、切片、拋光、外延”等核心技術裝備，通過關鍵設備牽引，實現分段工藝局部成套，拓展解決整線成套設備國產化，并實現整線集成。提升氧化爐、沉積設備、光刻機、刻蝕設備、離子注入機、清洗機、化學研磨設備的生產能力以及設備的精度和穩定性。突破核心共性關鍵技術，形成一流的工藝和產業應用技術，掌握核心裝備制造技術，打造第三代半導體材料裝備領軍企業。研究開發碳化硅單晶智能化生長裝備并實現產業化，突破碳化硅晶體可控生長環境精準檢測與控制技術、基于大數據分析的數字孿生及人工智能模擬技術，形成智能化碳化硅晶體生長裝備成套關鍵技術。

推動科技服務新基建，優化產業發展環境

1.建設公共技術平臺。整合省內優勢中堅力量，謀劃建設第三代半導體關鍵技術研究公共技術平臺，搭建國際先進的涵蓋第三代半導體晶體生長技術、器件物理研究、微納器件設計與加工技術、芯片封裝與測試等核心技術實體研發創新中心，提升研發水平和效率。建設國際先進的第三代半導體研發、檢測和服務公共平臺，開展芯片和器件關鍵技術攻關，研發具有自主知識產權的新材料、新工藝、新器件。深入開展核心關鍵技術研究、應用驗證、測試等，引入高溫離子注入系統、化學機械拋光系統、等離子刻蝕機等關鍵工藝設備，以及大型分析檢測測試設備，為產業協同發展提供服務支撐。

2.搭建成果轉化平臺。鼓勵產學研深度合作，聚焦第三代半導體單晶材料生長技術，器件設計與制備技術，封裝與測試技術等領域，加快推進高校及研究院所科技成果與產業的對接，以共建聯合實驗室等形式落實成果轉移轉化，實現我省在半導體核心技術領域的彎道超車；建設省級第三代半導體重點實驗室、工程技術中心等，加快推進申請國家級第三代半導體實驗室，引入高端研發人才，對接先進科研成果，加速成果產業化進程。

3.發展產業孵化平臺。支持地市、高校聯合國內外研發機構和重點企業，按照新型研發機構模式成立第三代半導體產業研究院，逐步建成國際先進、國內一流的第三代半導體科技孵化
器，帶動產業鏈上下游協同發展。

培育優勢主體，拉動產業整體規模

1.壯大龍頭企業。加大對重點企業的關注和扶持力度，實行一企一策，協調解決企業發展關鍵制約點。優先將符合條件的產業鏈重點項目納入山東省新舊動能轉換重大項目庫，充分利用好新舊動能轉換政策，進行重點扶持；圍繞SiC、GaN等晶體材料、功率器件和模塊、照明與顯示器件和下游應用等產業鏈關鍵環節，培育壯大細分行業領軍企業，逐步扶持企業上市。

2.融通產業環節。強化需求牽引的作用，從應用端需求入手，加強從材料、芯片、器件到模塊應用產業鏈上下游的深度合作。加強省內省外行業對接合作，精準招引、實施補鏈、延鏈、強鏈項目。沿鏈分批打造規模大、技術強、品牌響的“領航型”企業，培育細分領域的“瞪羚”“獨角獸”企業，促進產業鏈上下游、大中小企業緊密配套、融通發展，有效提升產業鏈供應鏈的穩定性和競爭力。

推進下游應用，拓寬產業發展路徑

1.大力支持碳化硅功率模塊的研發與產業化。加快實現碳化硅模塊量產，并提升碳化硅芯片及模塊在電氣性能、散熱設計、可靠性、封裝材料等方面的性能，降低生產成本。突破第三代半導體器件在充電樁、電動汽車、家電等領域的應用關鍵技術，掃清產業規模擴大的技術壁壘。擴大應用規模，支持省內碳化硅模塊生產企業擴大產能，形成碳化硅模塊產業集聚，打造模組開發應用產業化的新高地。

2.加快國產化第三代半導體產品應用推廣。引導省內芯片制造、封裝測試企業與第三代半導體材料企業對接，聯合開展研發攻關，實現關鍵材料本地覆蓋。組織開展省內國產第三代半導體應用試點示范，在襯底、芯片加工、模組應用等產業鏈環節對企業提出國產化比例考核要求。