Diodes 公司 （Nasdaq：DIOD） 為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 （MOSFET） 推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL （PowerDI?1012-8） 封裝，能在 175°C、100 瓦等級(jí)的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運(yùn)作，另外，80 瓦等級(jí)的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 （MOSFET） 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應(yīng)用的最佳選擇，像是能量熱回收、積體啟動(dòng)交流發(fā)電機(jī)以及電動(dòng)汽車(chē)的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

　　TOLL封裝采條帶鍵合封裝以達(dá)低封裝電阻及較低的寄生電感，使得 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 能夠在 10 W閘極驅(qū)動(dòng)器下產(chǎn)生 1.3mΩ、1.4mΩ 和 1.68mΩ 的典型寄通電阻。此外，低寄生電感能改善 EMI 電路的表現(xiàn)。

　　由于焊接面積比 TO263 高出百分之五十，TOLL封裝能使接面的熱阻抗達(dá) 0.65°C/W， MOSFET可處理高達(dá) 270A 的電流。鍍錫的梯形凹槽鉛錠有助于自動(dòng)光學(xué)檢測(cè) （AOI） 流程。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 （MOSFET） 皆符合 AEC-Q101 等級(jí)規(guī)范，由 IATF 16949  認(rèn)證的設(shè)施制造，并支持 PPAP 文件。

　　關(guān)于 Diodes Incorporated

　　Diodes 公司 （Nasdaq：DIOD） 是一家標(biāo)準(zhǔn)普爾小型股 600 指數(shù)和羅素 3000 指數(shù)成員公司，為消費(fèi)電子、計(jì)算、通信、工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)的全球領(lǐng)先公司提供高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品。我們擁有豐富的產(chǎn)品組合以滿(mǎn)足客戶(hù)需求，內(nèi)容包括分立、模擬、邏輯與混合信號(hào)產(chǎn)品以及先進(jìn)的封裝技術(shù)。我們廣泛提供特殊應(yīng)用解決方案與解決方案導(dǎo)向銷(xiāo)售，加上全球 31 個(gè)站點(diǎn)涵蓋工程、測(cè)試、制造與客戶(hù)服務(wù)，使我們成為高產(chǎn)量、高成長(zhǎng)的市場(chǎng)中的優(yōu)質(zhì)供貨商。