2022年5月5日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）FAN7191MX-F085 Gate Driver的6.6kW電動汽車車載充電器解決方案（OBC）。

圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的6.6kW電動汽車車載充電器解決方案的展示板圖

近年來，全球新能源行業(yè)的關注度持續(xù)提升，隨著越來越多的國家將“碳中和”作為重要發(fā)展目標，電動汽車及其上下游產(chǎn)業(yè)迎來了快速上升期。其中，OBC（電動汽車車載充電器）作為電動汽車的核心部件，正伴隨著新能源技術的蓬勃發(fā)展，不斷向著大功率、高效率的方向迭代創(chuàng)新。一方面，OBC模塊可將電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為直流電，為汽車提供充電需求。另一方面，由于電動汽車的逐漸普及，汽車OBC模塊也可作為儲能電池，為其他電氣設備提供供電需求。順應這一趨勢，大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品推出了6.6kW汽車OBC方案，具有高電流和低輸出壓降特性，可為新能源汽車用戶提供高效、安全的充、放電體驗。

圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的6.6kW電動汽車車載充電器解決方案的場景應用圖

此6.6kW OBC方案由n溝道功率MOSFET superet III NVHL025N65S3、單片高邊和低邊柵極驅(qū)動IC FAN7191_F085，高速端高開關性能SiC MOSFET NVHL060N090SC1、獨立的高電流和高效率IGBT驅(qū)動器NCV57000DWR2G組成。其中，F(xiàn)AN7191_F085是單片高端和低端柵極驅(qū)動IC，可以驅(qū)動工作電壓最高達+600V 的高速MOSFET和IGBT。它具有緩沖輸出級，且所有NMOS晶體管設計具有高脈沖電流驅(qū)動能力和最低交疊導通能力。借助onsemi的高壓工藝和共模噪聲消除技術可以保證高側(cè)驅(qū)動器在高dv/dt噪聲環(huán)境下穩(wěn)定工作。并且內(nèi)置的先進電平轉(zhuǎn)換電路可使高側(cè)柵極驅(qū)動器的工作偏置電壓達到VS = -9.8V（VBS = 15V時的典型值）。

圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的6.6kW電動汽車車載充電器解決方案的方塊圖

利用這些高性能器件和圖騰柱拓撲，可使系統(tǒng)效率達到97%（典型值），并且在電路中還提供了OCP和OVP硬件保護，進一步保證了系統(tǒng)的高可靠性。除此之外，該方案的板載輔助電源系統(tǒng)可為板載和控制板各電路提供電源，而無需外部直流電源。同時方案還能提供靈活的控制接口，以適應不同的控制板。

核心技術優(yōu)勢：

? 浮動通道可實現(xiàn)高達+600V的自舉運行；

? 4.5A/4.5A源電流/灌電流驅(qū)動能力；

? 共模dv/dt噪聲消除電路；

? 兩個通道均內(nèi)置欠壓閉鎖功能；

? 適用于兩個通道的匹配傳播延遲；

? 兼容3.3V和5V邏輯輸入電平；

? 輸出與輸入同相；

? 符合AEC Q100標準。

方案規(guī)格：

? 輸入電壓：90 ? 264Vac；

? 輸出功率：6.6kW；

? 拓撲結構：3CH Interleave Totem Pole；

? I/O Isolation：無。