三星電子（韓國(guó)語(yǔ)：???? [1] ）是韓國(guó)最大的電子工業(yè)企業(yè)，同時(shí)也是三星集團(tuán)旗下最大的子公司。1938年3月三星電子于韓國(guó)大邱成立，創(chuàng)始人是李秉喆。副會(huì)長(zhǎng)是李在镕和權(quán)五鉉，社長(zhǎng)是崔志成，首席執(zhí)行官是由權(quán)五鉉、申宗鈞、尹富根三位組成的聯(lián)席CEO。在世界上最有名的100個(gè)商標(biāo)的列表中，三星電子是唯一的一個(gè)韓國(guó)商標(biāo)，是韓國(guó)民族工業(yè)的象征。 [2] 2014年11月12日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子已經(jīng)起訴英偉達(dá)，稱其侵犯了公司幾項(xiàng)半導(dǎo)體相關(guān)專利以及投放相關(guān)產(chǎn)品的虛假?gòu)V告。在2014年9月，英偉達(dá)曾將三星告上法庭。2019年10月，2019福布斯全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)100強(qiáng)榜位列3位。

　　近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子勞資協(xié)議會(huì)當(dāng)天發(fā)布內(nèi)部公告稱，勞資雙方就全體員工2022年平均薪酬上調(diào)9%一事達(dá)成一致。

　　據(jù)了解，勞資協(xié)議會(huì)原本要求的加薪幅度為15%，但在雙方就當(dāng)前經(jīng)濟(jì)形勢(shì)相互協(xié)調(diào)后達(dá)成上調(diào)9%的共識(shí)，這也是近十年來的最高增幅。三星電子通常在每年3月初發(fā)布薪酬談判結(jié)果，此次例外進(jìn)行了11次談判，因此推遲了近兩個(gè)月才公布最終結(jié)果。

　　根據(jù)三星電子于4月28日發(fā)布的業(yè)績(jī)報(bào)告，公司在2022年第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為14.12萬億韓元（約合人民幣735.26億元），同比增長(zhǎng)50.5%。銷售額為77.78萬億韓元，同比增長(zhǎng)18.95%，創(chuàng)下單季最高紀(jì)錄，超出此前市場(chǎng)預(yù)期。

　　盡管受到俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)、新冠疫情等因素的影響，半導(dǎo)體行業(yè)需求依舊呈現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)的增長(zhǎng)勢(shì)頭，作為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭企業(yè)之一，三星電子的業(yè)績(jī)也乘勢(shì)而起。

　　日前，三星電子在財(cái)報(bào)中展望2022年二季度的表現(xiàn)時(shí)提到，“將通過在世界上首次量產(chǎn)3nm制程（GAA 3-nano）來提高技術(shù)領(lǐng)先地位”。這被外界解讀為該公司將在未來幾周實(shí)現(xiàn)3nm制程量產(chǎn)。而全球最大的晶圓代工廠臺(tái)積電按計(jì)劃要到2022年下半年才能量產(chǎn)3nm，在時(shí)間上落后于三星電子。

　　盡管臺(tái)積電對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手不予置評(píng)，但臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》還是為臺(tái)積電“站臺(tái)說話”，稱三星雖然宣稱3nm即將量產(chǎn)，但從晶體管密度、功耗等關(guān)鍵指標(biāo)看，三星的3nm實(shí)際上與臺(tái)積電的4nm及英特爾的Intel 4（原英特爾7nm）制程相當(dāng)，且良率可能存在問題。

　　臺(tái)媒評(píng)論三星，“表面上贏了面子，實(shí)際上還是輸了里子”。

　　作為當(dāng)前全球芯片代工市場(chǎng)的“老二”，三星電子一直希望能在晶圓代工領(lǐng)域超車“老大”臺(tái)積電。但雙方均持續(xù)投入，競(jìng)爭(zhēng)格局近年來并無明顯變化，臺(tái)積電目前仍占據(jù)著全球過半份額。

　　因此，三星電子不得不從制程方面下手，希望通過領(lǐng)先臺(tái)積電量產(chǎn)更先進(jìn)的制程，來爭(zhēng)奪更多的客戶。

　　4月底，三星電子披露了2022年一季度財(cái)報(bào)。在提到代工業(yè)務(wù)時(shí)，該公司透露，盡管一季度存在供應(yīng)等問題，但需求穩(wěn)定，先進(jìn)制程的供應(yīng)有所增長(zhǎng)。展望第二季度，該公司表示，將通過在全球率先實(shí)現(xiàn)3nm制程量產(chǎn)來提升技術(shù)領(lǐng)先地位，還將通過擴(kuò)大供應(yīng)，爭(zhēng)取包括美國(guó)和歐洲公司在內(nèi)的全球更多客戶的新訂單。

　　TechSpot等國(guó)外科技媒體指出，三星這一表態(tài)代表著該公司正全力準(zhǔn)備讓使用環(huán)繞閘極技術(shù)（GAA）架構(gòu)的3nm制程在今年上半年進(jìn)入投產(chǎn)階段，也就是在未來8周內(nèi)啟動(dòng)量產(chǎn)程序。

　　臺(tái)積電的3nm制程也計(jì)劃在2022年量產(chǎn)，不過是在下半年。

　　在4月上旬舉行的業(yè)績(jī)會(huì)上，臺(tái)積電方面透露，采用鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)的3nm依原計(jì)劃在下半年量產(chǎn)，將是下個(gè)大成長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)；2nm制程預(yù)計(jì)于2025年量產(chǎn)，有望業(yè)界領(lǐng)先。

　　據(jù)三星方面透露，相較于該公司目前采用鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)的7nm制程，即將量產(chǎn)的3nm制程可以在0.75伏特以下的低電壓環(huán)境工作，使整體耗電量降低50%，效能提升30%，芯片體積減少45%。

　　三星電子自2018年以來首次超越英特爾重回第一，盡管領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)還不到1%，該公司在2021年的收入增長(zhǎng)了28%。英特爾的收入下降了0.3%，市場(chǎng)份額為12.2%，相較于三星的12.3%。在排名前十的半導(dǎo)體廠商中，2021年內(nèi)增長(zhǎng)最快的是AMD和聯(lián)發(fā)科技，兩家公司在2021年分別增長(zhǎng)了68.6%和60.2%。

　　三星上周四表示，它有望在本季度（即未來幾周內(nèi)）使用其 3GAE （早期 3 納米級(jí)柵極全能）制造工藝開始大批量生產(chǎn)。該公告不僅標(biāo)志著業(yè)界首個(gè)3nm級(jí)制造技術(shù)，也是第一個(gè)使用環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）的節(jié)點(diǎn)。

　　三星在財(cái)報(bào)說明中寫道：“通過世界上首次大規(guī)模生產(chǎn) GAA 3 納米工藝來增強(qiáng)技術(shù)領(lǐng)先地位 。”（Exceed market growth by sustaining leadership in GAA process technology,adopt pricing strategies to ensure future investments, and raise the yield and portion of our advanced processe）

　　三星代工的 3GAE 工藝技術(shù) 是該公司首個(gè)使用 GAA 晶體管的工藝，三星官方將其稱為多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MBCFET）。

　　三星大約在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 節(jié)點(diǎn)。三星表示，該工藝將實(shí)現(xiàn) 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高達(dá) 80% 的晶體管密度（包括邏輯和 SRAM 晶體管的混合）。不過，三星的性能和功耗的實(shí)際組合將如何發(fā)揮作用還有待觀察。

　　理論上，與目前使用的 FinFET 相比，GAAFET 具有許多優(yōu)勢(shì)。在 GAA 晶體管中，溝道是水平的并且被柵極包圍。GAA 溝道是使用外延和選擇性材料去除形成的，這允許設(shè)計(jì)人員通過調(diào)整晶體管通道的寬度來精確調(diào)整它們。通過更寬的溝道獲得高性能，通過更窄的溝道獲得低功耗。這種精度大大降低了晶體管泄漏電流（即降低功耗）以及晶體管性能可變性（假設(shè)一切正常），這意味著更快的產(chǎn)品交付時(shí)間、上市時(shí)間和更高的產(chǎn)量。此外，根據(jù)應(yīng)用材料公司最近的一份報(bào)告，GAAFET 有望將cell面積減少 20% 至 30% 。

　　說到應(yīng)用，它最近推出的用于形成柵極氧化物疊層的高真空系統(tǒng) IMS（集成材料解決方案）系統(tǒng)旨在解決 GAA 晶體管制造的主要挑戰(zhàn)，即溝道之間的空間非常薄以及沉積多晶硅的必要性。在很短的時(shí)間內(nèi)在溝道周圍形成層?xùn)叛趸瘜雍徒饘贃暖B層。應(yīng)用材料公司的新型 AMS 工具可以使用原子層沉積 （ALD）、熱步驟和等離子體處理步驟沉積僅 1.5 埃厚的柵極氧化物。高度集成的機(jī)器還執(zhí)行所有必要的計(jì)量步驟。

　　三星的 3GAE 是一種“早期”的 3nm 級(jí)制造技術(shù)，3GAE 將主要由三星 LSI（三星的芯片開發(fā)部門）以及可能一兩個(gè) SF 的其他 alpha 客戶使用。請(qǐng)記住，三星的 LSI 和 SF 的其他早期客戶傾向于大批量制造芯片，預(yù)計(jì) 3GAE 技術(shù)將得到相當(dāng)廣泛的應(yīng)用，前提是這些產(chǎn)品的產(chǎn)量和性能符合預(yù)期。

　　過渡到全新的晶體管結(jié)構(gòu)通常是一種風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)樗婕叭碌闹圃旃に囈约叭碌墓ぞ摺Ｆ渌魬?zhàn)是所有新節(jié)點(diǎn)引入并由新的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 （EDA） 軟件解決的新布局方法、布局規(guī)劃規(guī)則和布線規(guī)則。最后，芯片設(shè)計(jì)人員需要開發(fā)全新的 IP，價(jià)格昂貴。

　　外媒：三星3nm良率僅有20%

　　據(jù)外媒Phonearena報(bào)道，三星代工廠是僅次于巨頭臺(tái)積電的全球第二大獨(dú)立代工廠。換句話說，除了制造自己設(shè)計(jì)的 Exynos 芯片外，三星還根據(jù)高通等代工廠客戶的第三方公司提交的設(shè)計(jì)來制造芯片。

　　Snapdragon 865 應(yīng)用處理器 （AP） 由臺(tái)積電使用其 7nm 工藝節(jié)點(diǎn)構(gòu)建。到了5nm Snapdragon 888 芯片組，高通回到了三星，并繼續(xù)依靠韓國(guó)代工廠生產(chǎn) 4nm Snapdragon 8 Gen 1。這是目前為三星、小米、摩托羅拉制造的高端 Android 手機(jī)提供動(dòng)力的 AP。