從技術競爭的角度來看，光芯片被認為是與國外研究進展差距最小的芯片技術，被寄予了中國“換道超車”的希望。

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　　據(jù)媒體報道，9月14日晚，我國科學家在國際頂級學術期刊《自然》發(fā)表了最新研究，首次得到納米級光雕刻三維結構，在下一代光電芯片制造領域的獲得重大突破。

　　這一重大發(fā)明，未來或可開辟光電芯片制造新賽道，有望用于光電調制器、聲學濾波器、非易失鐵電存儲器等關鍵光電器件芯片制備，在5G/6G通訊、光計算、人工智能等領域有廣泛的應用前景。

　　據(jù)介紹，南京大學張勇、肖敏、祝世寧領銜的科研團隊，發(fā)明了一種新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術，將飛秒脈沖激光聚焦于材料“鈮酸鋰”的晶體內部，通過控制激光移動的方向，在晶體內部形成有效電場，實現(xiàn)三維結構的直寫和擦除。

　　這一新技術突破了傳統(tǒng)飛秒激光的光衍射極限，把光雕刻鈮酸鋰三維結構的尺寸，從傳統(tǒng)的1微米量級（相當于頭發(fā)絲的五十分之一），首次縮小到納米級，達到30納米，大大提高了加工精度。

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