中國臺灣《聯(lián)合報》稱：經(jīng)多方評比后，臺積電最終決定將最先進(jìn)的 1nm 制程代工廠選址定在嘉義科學(xué)園區(qū)，總投資額超萬億新臺幣（IT 之家備注：當(dāng)前約 2290 億元人民幣）。

對于這一傳聞，臺積電表示，選擇設(shè)廠地點(diǎn)有諸多考量因素，臺積電以中國臺灣地區(qū)作為主要基地，不排除任何可能性，也持續(xù)與管理局合作評估合適的半導(dǎo)體建廠用地。

消息人士透露，臺積電 1nm 制程將落腳嘉義科學(xué)園區(qū)，臺積電已向相關(guān)管理局提出 100 公頃用地需求，其中 40 公頃將先設(shè)立先進(jìn)封裝廠，后續(xù)的 60 公頃將作為 1nm 建廠用地。業(yè)界估，臺積電 1nm 總投資額將逾萬億新臺幣。

在上個月舉行的 IEDM 2023 會議上，臺積電制定了提供包含 1 萬億個晶體管的芯片封裝路線，這一計劃與英特爾去年透露的規(guī)劃類似。

為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，該公司重申正在致力于 2nm 級 N2 和 N2P 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，以及 1.4nm 級 A14 和 1nm 級 A10 制造工藝，預(yù)計將于 2030 年完成。

此外，臺積電預(yù)計封裝技術(shù)（CoWoS、InFO、SoIC 等）將不斷取得進(jìn)步，使其能夠在 2030 年左右構(gòu)建封裝超過 1 萬億個晶體管的大規(guī)模多芯片解決方案。

據(jù)此前報道，臺積電在會議上還透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025 年開始量產(chǎn)。

前段時間還有消息稱，臺積電計劃正在新竹科學(xué)園區(qū)和高雄楠梓園區(qū)內(nèi)新建 5 座晶圓廠，其中第一座目前已經(jīng)破土動工，計劃 2025 年 1 月前搬入首部機(jī)臺；而臺積電園區(qū)在該園區(qū)的第 2 座晶圓廠有望近期動工。