新推出的氮化鎵場效應晶體管可作為原始設計選項或碳化硅（SiC）替代器件

　　加利福尼亞州戈萊塔 - 2024 年 1 月 17 日 - 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN?器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。新產品將采用Transphorm成熟的硅襯底氮化鎵制程，該制造工藝不僅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常適合現有硅基生產線量產。目前，50 毫歐 TP65H050G4YS FET 已可供貨，35 毫歐 TP65H035G4YS FET 正在出樣，預計將于 2024 年一季度供貨上市。

　　一千瓦及以上功率級的數據中心、可再生能源和各種工業應用的電源中，Transphorm 的 4 引腳 SuperGaN器件可作為原始設計選項，也可直接替代現有方案中的4 引腳硅基和 SiC器件。4引腳配置能夠進一步提升開關性能，從而為用戶提供靈活性。在硬開關同步升壓型轉換器中，與導通電阻相當的 SiC MOSFET相比，35 毫歐 SuperGaN 4 引腳 FET 器件在 50 千赫茲（kHz）下，損耗減少了 15%，而在 100 kHz 下的損耗則降低了 27%。

　　Transphorm 的 SuperGaN FET 器件所具有的獨特優勢包括：

　　·業界領先的穩健性：+/- 20V 柵極閾值和 4 V 抗擾性。

　　·更優的可設計性：減少器件周邊所需電路。

　　·更易于驅動：SuperGaN FET 能使用硅器件所常用的市售驅動器。

　　新發布的TO-247-4L 封裝器件具有相同的穩健性、易設計性和易驅動性，其核心技術規格如下：

　　Transphorm 業務發展及市場營銷高級副總裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 將繼續拓展產品線，向市場推出多樣化的氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。無論客戶有什么樣的設計需求，Transphorm都能夠幫助客戶充分利用SuperGaN平臺的性能優勢。四引腳 TO-247 封裝的SuperGaN為設計人員和客戶帶來提供極佳的靈活性--只需在硅或碳化硅器件的系統上做極少的設計修改（或者根本不需要進行任何設計修改），就能實現更低的電源系統損耗。Transphorm正在加速進入更高功率的應用領域，新推出的這兩款器件是公司產品線的一個重要補充。”

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