9 月 5 日消息，據(jù)《韓國先驅(qū)報》報道，三星電子 DS 部門存儲器業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理李禎培昨日在臺灣地區(qū)出席業(yè)界活動時展示了三星未來內(nèi)存產(chǎn)品路線圖。
根據(jù) DDR 內(nèi)存路線圖，三星計劃在 2024 年內(nèi)推出 1c nm 制程 DDR 內(nèi)存，該節(jié)點可提供 32Gb 顆粒容量產(chǎn)品；而在 2026 年三星將推出其最后一代 10nm 級工藝 1d nm，仍最大提供 32Gb 容量。
來到 2027 年，三星將突入 10nm 以下級 DRAM 制程節(jié)點，發(fā)布 0a nm 工藝 DDR 內(nèi)存產(chǎn)品，同時該節(jié)點的內(nèi)存單顆粒容量也將來到更高的 48Gb，即 6GB。
此外對于 LPDDR 內(nèi)存，李禎培介紹了 LPDDR5-PIM（注：內(nèi)存內(nèi)處理）產(chǎn)品。這一整合計算單元的存儲介質(zhì)可提升 70% 系統(tǒng)能效和最多 8 倍性能。
而在 HBM 內(nèi)存路線圖上，三星電子明確其下下代產(chǎn)品 HBM4E 將于 2026 年推出，與 SK 海力士的進度相當(dāng)。
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