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長江存儲成功用國產設備制造3D NAND芯片

替代部分美系設備成功
2024-09-24
來源:快科技

9月20日消息,據媒體報道,長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下,已成功采用國產半導體設備替代部分美系設備。

長江存儲自研Xtacking架構可讓3D NAND的層數堆疊到232層,即使與美光、三星和SK海力士等知名制造商相比,也具有極強的競爭優勢。

據悉,長江存儲已經使用中微半導體設備公司的蝕刻設備、北方華創的沉積與蝕刻設備,以及拓荊科技的沉積設備,成功制造出3D NAND閃存芯片

TechInsights稱,雖然長江存儲仍繼續依賴ASML和泛林集團等外國供應商提供關鍵工具,但中國國產半導體設備供應商越來越多地承擔了生產流程的大部分。

不過長江存儲使用國產設備生產的最新NAND芯片在堆疊層數上做了相應的妥協,比早期產品少了約70層,且產量較低。

對此長江存儲在回應中表示,公司正在不斷優化產品性能,層數變化與設備產量無關,隨著制造工藝、流程及經驗的不斷成熟,會不斷增加堆疊層數。

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