10月17日消息，據韓國媒體ZDNet Korea報導，雖然三星今年以來積極地想通過英偉達HBM3E認證，期望打入英特爾的供應鏈，但8層堆疊的HBM3E產品仍未通過認證，12層堆疊的產品很可能將延后至2025年第二季或第三季之后才有機會供應。

有專家指出，三星HBM問題就是核心芯片DRAM。HBM結構是將多個DRAM垂直堆疊連接，DRAM性能與HBM性能直接相關。因此懷疑用于三星HBM3E的DRAM，即三星1a制程第四代DRAM出了問題。

報道解釋稱，10nm級制程DRAM產品，分為第一代1x制程、第二代1y制程、第三代1z制程、第四代1a制程和目前主流的第五代1b制程。第四代1a制程DRAM線寬約14nm，三星于2021下半年量產，盡管比對手早，還用了EUV來提高產能，但未讓三星1a制程DRAM競爭力提升，反而因用EUV難度較高，讓三星1a制程DRAM生產成本遲遲無法下降。

另外，三星1a制程DRAM設計不夠完美，尤其服務器產品開發受挫，使商用較競爭對手落后。SK海力士2023年1月1a制程DRAM的DDR5服務器產品率先通過英特爾認證，而三星HBM3E卻遲遲無法通過英偉達認證。

三星日前平澤產線全面清查英偉達認證過八層堆疊HBM3E產品，但沒有問題，三星自行檢查只查出數據處理速度低于其他產品，較SK海力士和美光產品低約10%。

三星考慮新方法，就是部分重新設計1a制程DRAM，之后再恢復服務器DRAM和HBM產品競爭力。市場人士表示，三星還未最后決定。但若重新設計，三星須承受更大營運壓力。

目前三星正面臨半導體業務獲利壓力，此外智能手機、家電、顯示器等部門都面臨困境。此前由于三季度營業利潤低于市場預期，三星電子還罕見地發布聲明致歉。