1月26日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，中國(guó)封測(cè)廠商通富微電已經(jīng)宣布試生產(chǎn) HBM2 工藝，而在此之前，中國(guó)存儲(chǔ)器制造商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也已經(jīng)開始生產(chǎn) HBM2。

HBM是高帶寬內(nèi)存芯片，其基于多顆DRAM芯片通過(guò)先進(jìn)封裝工藝堆疊而成，主要面向高性能AI芯片應(yīng)用。比如英偉達(dá)、AMD、英特爾的AI芯片封裝內(nèi)都有集成HBM芯片。但是由于美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體限制政策，海外HBM芯片的對(duì)華出口收到了限制，這也使得中國(guó)AI芯片的發(fā)展就必須要依賴于國(guó)產(chǎn)HBM廠商的突破。

通富微電是全球第三大第三大半導(dǎo)體封裝和測(cè)試服務(wù)提供商，具備先進(jìn)封裝能力，不過(guò)此前其并未有提供HBM芯片的封裝服務(wù)。據(jù)報(bào)道稱，他們很可能正在利用第三方來(lái)源的存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體必需品，然后利用自己的專業(yè)知識(shí)組裝 HBM2 芯片。

需要指出的是，目前SK海力士最先進(jìn)的HBM芯片即將進(jìn)展到了HBM4，HBM2與之相比落后了兩代，但即便如此，這對(duì)于中國(guó)來(lái)說(shuō)也是突破。