4月28日消息，據(jù)wccftech報道，繼今年3月宣布全球首次向客戶提供12層堆疊HBM4樣品之后，SK海力士在近日的臺積電北美技術(shù)論壇又首次向公眾展示其最新的16層堆疊HBM4方案。

據(jù)SK海力士介紹，其此次展示的16層堆疊HBM4具有高達(dá) 48 GB 的容量、2.0 TB/s 帶寬和額定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die則是由臺積電代工。SK 海力士表示，他們正在尋求在 2025 年下半年之前進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，這意味著該工藝最早可能在今年年底集成到產(chǎn)品中。

除了 HBM4，SK 海力士展示了16層堆疊HBM3E，這也是同類產(chǎn)品中的首創(chuàng)，具有 1.2 TB/s 帶寬等。據(jù)說這個特殊的標(biāo)準(zhǔn)將與英偉達(dá)的 GB300 “Blackwell Ultra” AI芯片集成。有趣的是，SK 海力士聲稱他們已經(jīng)設(shè)法通過 Advanced MR-MUF 和 TSV 連接了這么多層。

SK 海力士還展示了其服務(wù)器內(nèi)存模塊陣容，尤其是 RDIMM 和 MRDIMM 產(chǎn)品。現(xiàn)在正在基于更新的 1c DRAM 標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建高性能服務(wù)器模塊，這使得模塊的速度高達(dá) 12,500 MB/s。