hbm4 相關(guān)文章(33篇)
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消息稱(chēng)SK海力士HBM4測(cè)試良率再創(chuàng)新高
發(fā)表于：2025/2/27 11:18:08
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2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大看點(diǎn)
發(fā)表于：2025/2/10 16:15:52
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消息稱(chēng)三星電子已將1c nm內(nèi)存開(kāi)發(fā)良率里程碑推遲半年
發(fā)表于：2025/1/21 13:00:00
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三星完成HBM4邏輯基礎(chǔ)裸片設(shè)計(jì)
發(fā)表于：2025/1/6 10:55:19
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三星電子已啟動(dòng)4nm制程HBM4邏輯芯片試生產(chǎn)
發(fā)表于：2025/1/3 15:11:51
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消息稱(chēng)三星電子啟動(dòng)下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購(gòu)
發(fā)表于：2024/12/11 11:39:59
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SK海力士將采用臺(tái)積電3nm生產(chǎn)HBM4
發(fā)表于：2024/12/5 10:57:17
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消息稱(chēng)特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4樣片
發(fā)表于：2024/11/21 11:09:01
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消息稱(chēng)內(nèi)存原廠考慮HBM4采用無(wú)助焊劑鍵合
發(fā)表于：2024/11/15 11:05:20
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三星將為Meta和微軟定制HBM4解決方案
發(fā)表于：2024/11/15 10:15:19
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SK海力士稱(chēng)英偉達(dá)要求其提前6個(gè)月供應(yīng)HBM4
發(fā)表于：2024/11/5 11:30:51
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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：2024/11/4 13:16:16
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消息稱(chēng)三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發(fā)表于：2024/10/23 11:18:21
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三星與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)無(wú)緩沖HBM4 AI芯片
發(fā)表于：2024/9/9 10:18:38
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三星HBM4將采用Logic Base Die和3D封裝
發(fā)表于：2024/9/5 8:50:11
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消息稱(chēng)三星電子以自家4nm先進(jìn)工藝打造HBM4內(nèi)存邏輯芯片
發(fā)表于：2024/7/16 18:55:00
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英偉達(dá)臺(tái)積電和SK海力士深化三角聯(lián)盟
發(fā)表于：2024/7/15 9:07:00
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JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)表示HBM4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)即將定稿
發(fā)表于：2024/7/12 9:17:00
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三星電子計(jì)劃在HBM4世代為客戶開(kāi)發(fā)多樣化定制HBM內(nèi)存
發(fā)表于：2024/7/11 9:15:00
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HBM芯片之爭(zhēng)愈演愈烈
發(fā)表于：2024/7/10 9:10:00
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ASMPT與美光聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備
發(fā)表于：2024/6/28 8:44:00
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消息稱(chēng)臺(tái)積電協(xié)同旗下創(chuàng)意電子拿下SK海力士大單
發(fā)表于：2024/6/24 11:35:08
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU和Vera CPU
發(fā)表于：2024/6/3 11:27:44
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SK海力士HBM4芯片2026年將帶來(lái)6-15億美元以上營(yíng)收
發(fā)表于：2024/5/29 8:36:11
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HBM4內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)已達(dá)白熱化
發(fā)表于：2024/5/15 8:39:14
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SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E內(nèi)存
發(fā)表于：2024/5/14 8:39:24
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英偉達(dá)下一代人工智能GPU架構(gòu)Rubin曝光
發(fā)表于：2024/5/11 8:39:38
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消息稱(chēng)SK海力士HBM4內(nèi)存基礎(chǔ)裸片有望采用臺(tái)積電7nm制程
發(fā)表于：2024/4/24 10:20:45
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SK海力士與臺(tái)積電簽署諒解備忘錄
發(fā)表于：2024/4/19 9:00:30
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三星計(jì)劃將TC-NCF用于16層HBM4內(nèi)存生產(chǎn)
發(fā)表于：2024/4/19 9:00:23
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