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半導體業2011年預測

2011-01-05
關鍵詞: 存儲器 DRAM Micro NAND

2010年半導體市況呈現「先高后低」的走勢,然2011年將會回到上低下高趨勢。主要DRAM記憶體產品DDR3平均固定交易價格2010年上半至年中為止維持上升走勢,并于5月達到頂點2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想,使DRAM價格走向跌勢,并于2010年12月下半跌破1美元,僅達0.97美元。

DRAM價格自2010年6月開始出現跌幅,其價格跌勢預估將持續至2011年第1季,第2季則可望由谷底回升。據記憶體市場研究機構DRAMeXange統計,主要DRAM價格2011年上半仍將維持在1美元以下。因此2011年上半海內外DRAM制造商仍無法避免營收不佳的情況。

然而據南韓電子新聞報導,三星電子(SamsungElectronics)和海力士半導體(Hynix)等南韓DRAM制造商,將以領先的制程技術繼續強化市場支配能力。

南韓NH投資證券公司研究員表示,DRAM價格下跌雖然對三星和海力士短期的營收造成影響,但就中長期來說,與其他競爭企業相比,韓廠擁有較先進的制程技術,在價格競爭力上也較占優勢。

50納米制程生產的DRAM至少需以1.2美元金額進行交易才能產生利潤,然40納米制程產品交易價維持0.8~0.9美元便有利潤產生。三星和海力士 40納米制程DRAM生?ㄓ餼囿?0%,營收雖受影響,但不至于出現赤字。而爾必達(Elpida)、美光(Micron)、南亞等競爭廠目前仍以50納米制程為主。

主要DRAM價格2011年上半仍將維持1美元以下價格,許多DRAM制造商上半年將面臨赤字危機。然而南韓證券公司預估,三星和海力士2011年第1季仍各可創下1兆韓元(約8.92億美元)和1,000億韓元(約8,920萬美元=瑰蝺~利益,形成對比。

尤其DRAM價格下跌,財務結構受影響的爾必達、美光及南亞等企業將可能正式以購并(M&A)的方式維持正常運作。爾必達2010年12月積極推動與臺3間DRAM制造商進行合并。

爾必達計劃與力晶、茂德、瑞晶等廠進行統合,以挽回受到DRAM激烈競爭及價格下跌對營收所產生的影響。美光2011年也可能與臺廠進行購并或策略合作。

南韓業者表示,DRAM制造商爾必達、美光、南亞等將會正式進行合縱連橫,而就中長期來說,三星和海力士等業者將能獲得最終生存權。

另一方面,受到東芝(Tochiba)停電效應以及智慧型手機(Smartphone)和平板電腦(TabletPC)需求增加等影響,2011年快閃記憶體(NANDFlash)業者也將持續受惠。

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