| 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的基本特性與驅(qū)動 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：hbcxzcj | |
| 文檔大小：393 K | |
| 標簽： IGBT 晶體管 | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：摘要：IGBT 的全 稱是Insulate Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極晶體管。它兼具MOSFET和GTR的多項優(yōu)點，極大的擴展了半導體器件的功率應用領域。例如將之應用于變頻空調(diào)逆變電路當中，顯著地改善了空調(diào)的性能。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統(tǒng)工程研究所版權所有 京ICP備10017138號-2