結合ST第三代碳化硅金屬氧化物半導體場效晶體管、STGAP隔離驅動器和STM32微控制器技術，此圖騰柱無橋式功率因數(shù)修正器（PFC）解決方案為一個即插即用的解決方案，滿足數(shù)據(jù)中心之高階服務器和電信通訊電源設計的需求

　　2024 年 3 月 29 日，中國—服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作，設計及研發(fā)使用ST被業(yè)界認可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務器電源參考設計技術。該參考方案是電源設計數(shù)位電源轉換器應用的理想選擇，尤其在服務器、數(shù)據(jù)中心和通信電源的領域。

　　隨著人工智能（AI）、5G和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推波助瀾下，對數(shù)位服務的需求持續(xù)成長，能源及用電控制是數(shù)據(jù)中心永續(xù)發(fā)展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設計適用于3kW及更高功率CRPS（一般備援電源供應器）服務器電源供應器。這項技術進步具有卓越的效率、能更快完成開關任務、降低量損耗和有更加的散熱管理能力。此外，該統(tǒng)解決方案能夠讓客戶有效縮短產品上市時間。

　　居全球高效電源供應器前沿地位，肯微科技是擁有全球80 PLUS鈦金級電源供應器證書的引導者，確保高達96%的電源使用效率。用心把電源供應器做到最好，肯微科技的電源供應器解決方案是高效能運算（HPC）、人工智能（AI）、深度學習（Deep Learning）、云端及各式先進應用的理想選擇。此外，藉由該電源解決方案的高功率密度，可以在不影響可靠性和效率的前提下優(yōu)化使用空間，為要求嚴格的運算環(huán)境中樹立了新的性能標準。

　　肯微科技技術副總Robin Cheng表示，將意法半導體最新的SiC MOSFET、電流隔離和微控制器技術與肯微科技業(yè)界領先的電源供應器設計專業(yè)知識相結合，有助于我們增加設計能力及創(chuàng)造能力，開發(fā)高密度和高效率的電源供應器，提供達到89W/in3的高密度小尺寸和高功率輸出的服務器或電信設備電力解決方案。

　　意法半導體電源與能源技術創(chuàng)新中心負責人周光祖則表示，“ST的電源與能源技術創(chuàng)新中心著眼于工業(yè)市場，利用最新的半導體技術為客戶提供低功率、中功率和高功率整體解決方案。而STDES-3KWTLCP參考設計可以幫助客戶利用ST高效而可靠的電源解決方案，提升其產品的能源效率并縮短上市時間?！?/p>

　　技術資訊：

　　STDES-3KWTLCP是一個3kW AC-DC轉換器，專為3kW電信整流器應用而設計，特別是這些應用需要在寬范圍的輸出負載和輸入電壓下維持高效率。

　　該參考設計為達到之40 W/in3的精密型解決方案的終極目標開創(chuàng)了一個方式，同時其高峰值效率高達96.3%，全負載的輸出諧波失真（THD）則小于5%，而且材料成本更低。

　　整個系統(tǒng)由兩級電源組成，第一個為STM32G474RBT6控制的圖騰柱無橋式功率因數(shù)校正，第二個則是STM32G474RBT6控制的隔離直流轉換器，采用全橋LLC拓樸結構，并具有零電壓切換（ZVS）和同步整流功能。

　　STDES-3KWTLCP是一個完整的設計方案，可以幫助使用者利用ST最新的功率元件設計創(chuàng)新拓撲：包括碳化硅MOSFET、高壓MDmesh MOSFET、STripFET MOSFET、STGAP隔離FET驅動器，以及VIPer轉換器。

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