| 緩沖層材料對纖鋅礦結構GaN(0001)光電發(fā)射性能的影響研究 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：v895bv | |
| 文檔大小：280 K | |
| 標簽： GaN | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：利用金屬有機物化學氣相沉積技術在藍寶石襯底上異質(zhì)外延生長了GaN光電發(fā)射層，為降低GaN發(fā)射層和藍寶石襯底間的晶格失配與熱失配，在藍寶石襯底和GaN發(fā)射層間分別采用了AlN和AlxGa1-xN兩種不同的緩沖層材料。對具有不同緩沖層材料的兩種樣品進行了表面清洗與激活，在激活結束后利用多信息量測試系統(tǒng)分別測試了樣品的光譜響應，其最大量子效率分別為13%和20%，依據(jù)激活后光電陰極的光譜響應作為評估標準，可以得出，采用組份漸變AlxGa1-xN作為緩沖層激活出的陰極具有更高的光電發(fā)射性能，從而實現(xiàn)了GaN光電陰極結構的優(yōu)化設計。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統(tǒng)工程研究所版權所有 京ICP備10017138號-2