| 20 MHz～520 MHz寬帶功率放大器的研制 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：588 K | |
| 標(biāo)簽： GaN 寬帶功放 負(fù)反饋 | |
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| 文檔介紹：新一代半導(dǎo)體材料GaN相比于Si、GaAs等材料，具有禁帶寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱穩(wěn)定性優(yōu)異等特性，在寬帶功放的設(shè)計(jì)中被廣泛使用。基于CREE公司的兩款GaN功率芯片進(jìn)行級(jí)聯(lián)，匹配電路為集中元件和分布元件混合，采用負(fù)反饋技術(shù)提高帶寬，RC并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)提高穩(wěn)定性，設(shè)計(jì)了一款20 MHz～520 MHz的寬帶功放。利用ADS軟件對(duì)芯片模型和匹配電路進(jìn)行優(yōu)化仿真和實(shí)際調(diào)試，在20 MHz～520 MHz頻段內(nèi)，功放模塊飽和輸出功率大于9 W，增益大于29.5 dB，漏極效率高于40%，帶內(nèi)平坦度為±0.7 dB。 | |
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