e絡(luò)盟擴(kuò)展產(chǎn)品組合 強(qiáng)化工業(yè)產(chǎn)品類別

　　中國(guó)上海，2025 年 2月20日 — 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟擴(kuò)展了其工業(yè)和維護(hù)、維修和運(yùn)營(yíng) （MRO） 產(chǎn)品范圍，以確保客戶能夠從行業(yè)領(lǐng)先的供應(yīng)商處獲得各種產(chǎn)品和解決方案。

發(fā)表于：2025/2/24

貿(mào)澤開售采用先進(jìn)AI實(shí)現(xiàn)環(huán)境檢測(cè)的

　　2025年2月21日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起供應(yīng)Bosch BME690空氣質(zhì)量傳感器。這款四合一MEMS傳感器能有效檢測(cè)揮發(fā)性有機(jī)化合物 （VOC）、揮發(fā)性硫化合物 （VSC） 以及一氧化碳、氫氣等氣體。BME690傳感器還可應(yīng)用于呼吸分析，并通過檢測(cè)食物即將發(fā)生腐敗的跡象來減少食物浪費(fèi)。該空氣質(zhì)量傳感器支持可穿戴設(shè)備、智能家電、移動(dòng)和卡片設(shè)備等多種應(yīng)用場(chǎng)景。

發(fā)表于：2025/2/24

自動(dòng)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案

　　本文提出，CMOS開關(guān)可以取代自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）廠商使用的PhotoMOS?開關(guān)。CMOS開關(guān)的電容乘電阻（CxR）性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導(dǎo)通速度、可靠性和可擴(kuò)展性的表現(xiàn)也很出色，契合了先進(jìn)內(nèi)存測(cè)試時(shí)代ATE廠商不斷升級(jí)的需求。

發(fā)表于：2025/2/24

臺(tái)積電今年超70%先進(jìn)封裝產(chǎn)能被英偉達(dá)包下

2月24日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱，近日業(yè)界傳出消息，英偉達(dá)（NVIDIA）最新Blackwell構(gòu)架GPU芯片需求強(qiáng)勁，已包下臺(tái)積電今年超過70%的CoWoS-L先進(jìn)封裝產(chǎn)能，出貨量以每季環(huán)比增長(zhǎng)20%以上逐季沖高，助力臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)熱轉(zhuǎn)。

發(fā)表于：2025/2/24

臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)2nm制程將如期在下半年量產(chǎn)

2 月 23 日消息，中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》昨晚報(bào)道稱，業(yè)界消息稱臺(tái)積電 2nm 制程月產(chǎn)今年底前有望達(dá)到 5 萬片，甚至有機(jī)會(huì)邁上 8 萬片。 臺(tái)積電對(duì)此不予評(píng)論，僅強(qiáng)調(diào) 2nm 制程技術(shù)進(jìn)展良好，將如期在今年下半年量產(chǎn)。

發(fā)表于：2025/2/24

Intel 18A工藝正式開放代工

2月23日消息，Intel官方網(wǎng)站悄然更新了對(duì)于18A(1.8nm級(jí))工藝節(jié)點(diǎn)的描述，稱已經(jīng)做好了迎接客戶項(xiàng)目的準(zhǔn)備，將在今年上半年開始流片，有需求的客戶可以隨時(shí)聯(lián)系。 Intel宣稱，這是在北美地區(qū)率先量產(chǎn)的2nm以下工藝節(jié)點(diǎn)，已經(jīng)有多達(dá)35家行業(yè)生態(tài)伙伴，涵蓋EDA芯片設(shè)計(jì)工具、IP知識(shí)產(chǎn)權(quán)、設(shè)計(jì)服務(wù)、云服務(wù)、航空國(guó)防等各個(gè)領(lǐng)域。

發(fā)表于：2025/2/24

國(guó)內(nèi)最薄8微米電池箔量產(chǎn)

2月23日消息，據(jù)報(bào)道，神火新材料科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“神火新材”）最新研發(fā)的8微米雙面光電池箔，可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)100噸產(chǎn)能，是目前國(guó)內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)的最薄電池箔。 電池箔通常用于鋰離子電池，作為正極或負(fù)極的集流體，負(fù)責(zé)收集電流并傳導(dǎo)至外部電路。它的厚度直接影響電池的能量密度和性能。”神火新材副總經(jīng)理毛昀鋒介紹。

發(fā)表于：2025/2/24

超20家央企接入DeepSeek

2 月 24 日消息，據(jù)經(jīng)濟(jì)參考報(bào)報(bào)道，近來，國(guó)資央企“牽手”DeepSeek 已成為一股新風(fēng)潮。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前有超 20 家央企接入 DeepSeek，涉及能源、通信、汽車、金融、建筑等多個(gè)領(lǐng)域。

發(fā)表于：2025/2/24

中國(guó)量子直接通信邁向?qū)嵱?/a>

2月23日消息，最近，北京量子信息科學(xué)研究院與清華大學(xué)、北方工業(yè)大學(xué)合作，提出單向量子直接通信理論，并成功研制出實(shí)用化系統(tǒng)，創(chuàng)造了2.38kps@104.8km@168小時(shí)的長(zhǎng)距離穩(wěn)定傳輸世界紀(jì)錄。 這標(biāo)志著，量子直接通信已經(jīng)從理論構(gòu)想成功邁向?qū)嶋H應(yīng)用階段。 相關(guān)成果以已發(fā)表于國(guó)際知名期刊《Science Advances》。

發(fā)表于：2025/2/24

三星將LPDDR5速率提高到12.7Gb/s

2月22日消息，三星電子近日在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 （ISSCC） 上引入了 LPDDR5 規(guī)范的另一項(xiàng)擴(kuò)展，將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到 12,700 Mb/s （12.7 Gb/s），成為了全球速度最快的 LPDDR5 DRAM。為了提高速度，三星在其 DRAM 芯片（稱為 LPDDR5-Ultra-Pro DRAM）中添加四相自校準(zhǔn)和交流耦合收發(fā)器均衡等技術(shù)。

發(fā)表于：2025/2/24

Silicon Labs獲得德克薩斯州2300萬美元補(bǔ)貼

當(dāng)?shù)貢r(shí)間2025年2月19日，互聯(lián)安全及智能無線技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs宣布，其已獲得由《德克薩斯州芯片法案》設(shè)立的德克薩斯半導(dǎo)體創(chuàng)新基金 （TSIF） 提供的 2300 萬美元補(bǔ)貼，將支持其在奧斯汀建立新的研發(fā) （R?&D） 實(shí)驗(yàn)室，幫助創(chuàng)造和維持當(dāng)?shù)鼐蜆I(yè)機(jī)會(huì)，并加強(qiáng) Silicon Labs 對(duì)維護(hù)德克薩斯州中部作為首屈一指的技術(shù)中心地位的決心。

發(fā)表于：2025/2/24

利用與硬件無關(guān)的方法簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)：基本知識(shí)

　　本文將演示一種加速嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)原型階段的方法，說明如何將與硬件無關(guān)的驅(qū)動(dòng)程序和傳感器結(jié)合使用，簡(jiǎn)化整個(gè)嵌入式系統(tǒng)的器件選擇。同時(shí)還將介紹嵌入式系統(tǒng)的器件、典型軟件結(jié)構(gòu)以及驅(qū)動(dòng)程序的實(shí)現(xiàn)。后續(xù)文章“利用與硬件無關(guān)的方法簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)：驅(qū)動(dòng)程序?qū)崿F(xiàn)”將進(jìn)一步探討執(zhí)行過程。

發(fā)表于：2025/2/23

意法半導(dǎo)體升級(jí)傳感器評(píng)估板，結(jié)合ST MEMS Studio開發(fā)環(huán)境

2025 年 2 月 21 日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體新一代傳感器評(píng)估板 STEVAL-MKI109D讓基于 MEMS傳感器的情境感知應(yīng)用的開發(fā)速度更快，功能更強(qiáng)大，靈活性更高。新評(píng)估板現(xiàn)已升級(jí)，配備了STM32H5微控制器、USB-C連接器，增加了I3C等多個(gè)數(shù)字接口，提高了數(shù)據(jù)通信的靈活性，讓用戶能夠快速評(píng)估傳感器，并充滿信心地處理具有挑戰(zhàn)性的項(xiàng)目。

發(fā)表于：2025/2/22

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。

發(fā)表于：2025/2/21

消息稱三星電子4nm良率已近80%

2 月 21 日消息，韓媒 Newdaily 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子的 4nm 先進(jìn)制程良率已升至接近 80%（未指定芯片尺寸），并在近期陸續(xù)獲得了來自中國(guó)企業(yè)的 ASIC 代工訂單。 報(bào)道指出，在先進(jìn)制程連續(xù)遭遇商業(yè)困境后三星電子的新管理層調(diào)整了先進(jìn)制程戰(zhàn)略，不再一味地同臺(tái)積電展開“納米競(jìng)賽”，而是將工作重心放在以可靠良率贏得客戶信任上，保障能從非最前沿節(jié)點(diǎn)獲得穩(wěn)定收益，使代工業(yè)務(wù)在經(jīng)濟(jì)上可持續(xù)。 韓媒認(rèn)為 DeepSeek 近期的火爆也提升中國(guó)科技企業(yè)開發(fā) AI ASIC 的熱情，而三星電子先進(jìn)制程的價(jià)格、產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)在這波行情下成為吸引下單的重要?jiǎng)恿Α?/a>