EDA與制造相關文章 上海國資入股概倫 加速國產EDA與上海半導體生態融合 概倫電子7月15日晚間公告，KLProTech H.K. Limited、共青城明倫投資合伙企業（有限合伙）等8名公司股東與上海芯合創一號私募投資基金合伙企業（有限合伙）簽署《股份轉讓協議書》，將合計持有的公司5%股份（2175.89萬股）協議轉讓給后者，轉讓總價款約為6.13億元。轉讓完成后，上海芯合創成為公司持股5%的重要股東。 發表于：7/16/2025 美國開始發力EUV光刻技術 在先進芯片制造方面，EUV 光刻機是不得不提的重要組成。而提及 EUV 光刻的時候，大家首先想到的是 ASML。誠然，作為市場上領先的光刻機廠商，ASML 在光刻機方面的實力不容忽視。特別是在當前備受關注的 EUV 光刻機方面，ASML 已然成為全球唯一的供應商。 發表于：7/16/2025 新思科技收購Ansys交易已獲全部所需批準 7 月 15 日消息，EDA 與 IP 巨頭新思科技 Synopsys 曾在當地時間 6 月 30 日表示，其對 Ansys 的擬議收購已在除中國以外的所有司法管轄區獲得了并購批準。而在中國國家市場監督管理總局昨日宣布附加限制性條件批準后，新思科技正式宣布該交易已獲全部所需批準。 新思科技在新聞稿表示，在滿足或豁免剩余的例行交割條件下，雙方預計將于 2025 年 7 月 17 日（本周四）當天或前后完成交易。 發表于：7/16/2025 博通取消10億美元的西班牙封測廠建設計劃 7月15日消息，據europapress援引消息人士透露，芯片設計大廠博通（Broadcom）已取消在西班牙興建半導體封測廠的計劃。 發表于：7/15/2025 日本政府支持的芯片制造商JS Foundry將申請破產 7 月 14 日消息，據日經新聞消息，日本政府支持的半導體代工廠 JS Foundry 將于本周一向東京地方法院申請破產保護。 日本政府支持的芯片制造商 JS Foundry 將申請破產，累 發表于：7/15/2025 中國有條件批準美國EDA巨頭新思科技重磅收購案 7月14日消息，今天下午，市場監管總局發布《關于附加限制性條件批準新思科技公司收購安似科技公司股權案反壟斷審查決定的公告》。 據了解，2024年1月16日，美國EDA大廠新思科技曾在宣布，將以現金加股票的形式，收購工業軟件大廠安似科技（Ansys），總價值約為350億美元。該交易原本預計將于2025年上半年完成，但需獲得Ansys股東的批準、獲得必要的監管部門批準以及其他慣例成交條件。 發表于：7/15/2025 臺積電美國先進封裝廠將提供CoPoS和SoIC封裝技術 7月14日消息，據外媒ComputerBase 報導，晶圓代工龍頭大廠臺積電正計劃在美國亞利桑那州晶圓廠（Fab 21） 附近建造兩座先進封裝廠，并在當地提CoPoS 和SoIC 先進封裝服務。 發表于：7/15/2025 英特爾俄勒岡州晶圓廠實際裁員規模擴大四倍 7月14日消息，綜合外媒KGW及Oregon Live報道，英特爾在上周已經計劃在美國裁員4000人，其中俄勒岡州晶圓廠成為了重災區，裁員人數從原來的 529 人大幅增加到了 2,329 人。 發表于：7/15/2025 電路板過孔與槽設計注意事項之線路板板打樣 在PCB（印制電路板）的設計與制造過程中，孔的設計是一個至關重要的環節。它不僅關系到電路板的電氣性能，還直接影響到生產加工的效率和成品的質量。以下是PCB打樣時關于孔設計的一些關鍵注意事項： 發表于：7/15/2025 傳Intel 18A制程良率達55% 7月14日消息，據外媒KeyBanc報道，英特爾最新的Intel 18A制程良率已經提升到了55%，預計將于今年四季度量產，將率先導入下一代移動處理器，目標良率是提升到70%。 發表于：7/15/2025 廣東金力傳動研發多維清潔機器人靈巧手 月15日消息，據europapress援引消息人士透露，芯片設計大廠博通（Broadcom）已取消在西班牙興建半導體封測廠的計劃。 發表于：7/15/2025 臺積電美國2nm晶圓廠年底前將完成發包 7月14日消息，臺積電法說會將于17日登場，美國關稅沖擊及在美建廠進度備受關注。 據臺媒《工商時報》援引供應鏈透露，盡管面臨關稅壓力，臺積電仍持續強化對客戶的供應能力，美國亞利桑那州首批三座晶圓廠進度加快：P1廠采用4nm制程，已于2024年第四季投產；P2廠已經于今年4月動工，規劃3nm制程，預定2027年下半年量產；而原定2030年底完工的規劃2nm及更先進產能的P3廠，現已啟動加速流程，預計將于2025年底前完成發包。 發表于：7/14/2025 Intel 18A工藝良率已超越三星2nm 7月14日消息，據報道，KeyBanc Capital Markets的分析報告顯示，Intel 18A工藝的良率已從上一季度的50%提升至55%，與競爭對手的對比中脫穎而出。 相比之下，三星的2nm工藝（SF2）目前的良率大約在40%左右，而Intel 18A工藝的良率已經超越了三星2nm。 發表于：7/14/2025 LG電子啟動混合鍵合設備開發追逐未來HBM內存制造關鍵技術 7 月 13 日消息，韓媒 SEDaily 今日報道稱，LG 電子下屬的生產技術研究所 (PTI) 已啟動混合鍵合設備開發，目標在 2028 年實現大規模量產。 混合鍵合未來將毫無疑問地成為 16+ 層堆疊 HBM 內存堆棧構建的關鍵技術，其采用無凸塊的銅-銅鍵合，縮小各層 DRAM Die 間距，能在有限的高度內實現更高層數堆疊，且具備更低發熱。 目標。 發表于：7/14/2025 傳英特爾在臺積電2nm制程完成Nova Lake處理器芯片流片 7 月 14 日消息，媒體 SemiAccurate 本月 10 日報道稱，英特爾數周前在臺積電 2nm 制程節點 N2 完成了 Nova Lake 處理器芯片的流片 (Tape-out)，下一步將是上電運行 (Power On)。 發表于：7/14/2025 ?12345678910…?
