EDA與制造相關(guān)文章 High-NA EUV遇冷 晶圓廠紛紛推遲導(dǎo)入時間 7月2日消息，據(jù)媒體報道，2023年末ASML向英特爾交付了首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界普遍認為，High-NA EUV光刻技術(shù)將在先進芯片開發(fā)和下一代處理器的生產(chǎn)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。 發(fā)表于：7/3/2025 三星電子計劃明年3月啟動第十代4xx層V-NAND量產(chǎn)線建設(shè) 7 月 2 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道稱，三星計劃明年三月啟動其下一代 3D NAND 閃存 —— 第十代 V-NAND 的首條量產(chǎn)線建設(shè)，有望當(dāng)年 10 月進入全面量產(chǎn)階段。 發(fā)表于：7/3/2025 臺積電計劃兩年后停止氮化鎵晶圓生產(chǎn) 7 月 3 日消息，根據(jù)納微半導(dǎo)體 Navitas 向美國證券交易委員 SEC 遞交的 FORM 8-K 文件和發(fā)布于 7 月 1 日的新聞稿，該公司當(dāng)前唯一氮化鎵 (GaN) 晶圓供應(yīng)商臺積電計劃于兩年后的 2027 年 7 月終止相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。 發(fā)表于：7/3/2025 消息稱數(shù)百中國工程師撤離印度iPhone工廠 7 月 2 日消息，據(jù)彭博社報道，知情人士透露，富士康科技集團已要求數(shù)百名中國工程師和技術(shù)人員從其位于印度的 iPhone 工廠返回中國，這對蘋果公司在南亞國家的生產(chǎn)擴張計劃造成了打擊。 發(fā)表于：7/3/2025 消息稱英特爾考慮放棄向新外部客戶推銷Intel 18A (-P) 工藝 7 月 2 日消息，路透社當(dāng)?shù)貢r間 1 日援引消息人士報道稱，英特爾 CEO 陳立武責(zé)成公司擬定一系列將在董事會上討論的方案，其中包含是否停止向新客戶推銷英特爾代工的 Intel 18A (-P) 先進制程工藝。 發(fā)表于：7/2/2025 三星代工低價搶到2nm版高通驍龍8 Elite 2 7月2日消息，博主數(shù)碼閑聊站爆料，三星代工生產(chǎn)了部分驍龍8 Elite 2芯片，工藝升級為三星SF2（2nm制程），套片報價比臺積電3nm版本更低，明年可能會上線。 他還爆料，目前沒有廠商采購三星2nm版驍龍8 Elite 2，高通主要供貨的是臺積電3nm版。 2nm版高通驍龍8 Elite 2首曝：三星代工 根據(jù)此前曝光的消息，今年9月登場的驍龍8 Elite 2基于臺積電N3P工藝（臺積電第三代3nm）制造，并采用第二代自研Oryon CPU架構(gòu)，GPU獨立緩存提升至16MB。 發(fā)表于：7/2/2025 消息稱三星代工調(diào)整戰(zhàn)略 1.4nm量產(chǎn)計劃將推遲 7月1日消息，據(jù)韓國媒體ZDNet Korea 報導(dǎo)，三星電子旗下Exynos 移動處理器的開發(fā)策略預(yù)計在未來2至3年內(nèi)將迎來重大轉(zhuǎn)變，其中的一項關(guān)鍵調(diào)整在于，暫緩原定于2027年量產(chǎn)1.4nm制程節(jié)點的計劃。 發(fā)表于：7/2/2025 半導(dǎo)體企業(yè)在美新廠建設(shè)投資稅收抵免比例有望大幅提升 7 月 2 日消息，美國參議院當(dāng)?shù)貢r間 1 日以 51:50 的微弱優(yōu)勢通過了參議院版本的“大而美”稅收與支出法案，該法案由于與眾議院版本存在較大出入尚待眾議院再次通過和總統(tǒng)批準(zhǔn)。 而根據(jù)參議院版本的“大而美”法案，半導(dǎo)體企業(yè)如果在 2026 年底的截止日期前啟動新廠建設(shè)，則獲得的投資額稅收抵免將達到 35%。這一比例相較當(dāng)前實行的 25% 明顯提升，也高于法案草案階段設(shè)想的 30%。 發(fā)表于：7/2/2025 HBM內(nèi)存價格戰(zhàn)風(fēng)雨欲來 7月1日消息，據(jù)報道，三星正在與NVIDIA洽談12層堆疊HBM3E內(nèi)存的供應(yīng)事宜，旨在為NVIDIA的GB300 Blackwell Ultra提供支持。 報道稱，三星設(shè)備解決方案（DS）部門負責(zé)人于6月25日訪問了NVIDIA位于硅谷的總部，討論了HBM3E的供應(yīng)問題，此次訪問距離5月初的行程不到兩個月。 發(fā)表于：7/2/2025 傳聯(lián)電計劃進軍先進制程 或?qū)⑴c英特爾合作6nm 7月1日，據(jù)《日經(jīng)亞洲》（Nikkei Asia）報道，中國臺灣第2大晶圓代工廠商聯(lián)電（UMC）正在評估進軍先進制程制造的可行性，目前這個領(lǐng)域主要由臺積電、三星和英特爾主導(dǎo)。 對此，聯(lián)電首席財務(wù)官劉啟東也指出，如 發(fā)表于：7/2/2025 美光披露其對美國2000億美元投資計劃細節(jié) 7月1日消息，據(jù)Tom's hardware報道，美國存儲芯片大廠美光（Micron）近日詳細介紹了其不久前宣布的對美國投資2000億美元的投資計劃。 在今年6月12日，美光就宣布，其計劃將在美國的存儲制造投資擴大到約 1500 億美元，研發(fā)投資也將擴大到 500 億美元，從而創(chuàng)造約 90,000 個直接和間接工作崗位。 發(fā)表于：7/2/2025 IBM稱全力支持Rapidus 2027年量產(chǎn)2nm 7 月 1 日消息，IBM 半導(dǎo)體部門總經(jīng)理 Mukesh Khare 在接受日媒《讀賣新聞》采訪時表示，IBM 正全力支持 Rapidus 在 2027 年實現(xiàn) 2nm 制程量產(chǎn)的目標(biāo)，雙方的合作有望延續(xù)到更先進節(jié)點。 發(fā)表于：7/1/2025 2030年中國大陸將成為全球最大的半導(dǎo)體晶圓代工中心 7月1日消息，根據(jù)Yole Group的報告，2030年中國大陸將成為全球最大的半導(dǎo)體晶圓代工中心。 報告中指出，中國大陸有望在2030年超越中國臺灣，成為全球最大的半導(dǎo)體晶圓代工中心。2024年中國大陸占全球21%的產(chǎn)能，隨著本土產(chǎn)能的快速擴張，中國大陸的崛起凸顯了在分散且充滿戰(zhàn)略博弈的芯片制造格局中，行業(yè)話語權(quán)正在發(fā)生轉(zhuǎn)移。 6年后！中國大陸將成全球最大半導(dǎo)體晶圓代工中心：幾nm已不重要 2024年中國大陸以21%的全球代工產(chǎn)能份額位居第二，僅次于中國臺灣（23%）。韓國以19%的份額排名第三，日本（13%）、美國（10%）和歐洲（8%）緊隨其后。 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）數(shù)據(jù)顯示，2024年中國大陸芯片制造商產(chǎn)能增長15%，達每月885萬片晶圓。這一增長得益于18座新建半導(dǎo)體晶圓廠的投產(chǎn)，推動全球同年產(chǎn)能擴張6%。 按照這個擴建和發(fā)展速度，中國半導(dǎo)體接下來將會越來越強大，屆時幾nm已經(jīng)不是那么重要了，就連英特爾CEO不是都在弱化先進的重要性嘛。 發(fā)表于：7/1/2025 臺積電美國3nm晶圓廠基建完工 預(yù)計2027年量產(chǎn) 6月30日消息，據(jù)臺媒《工商時報》報道，為滿足客戶美國制造需求的增長，臺積電亞利桑那州廠建廠正在加速。據(jù)供應(yīng)鏈透露，規(guī)劃配置3nm先進制程的臺積電亞利桑那州二廠（P2）已經(jīng)完成建設(shè)，整體進度有所提前，臺積電正致力于依據(jù)客戶對AI相關(guān)的強勁需求加速量產(chǎn)進度，預(yù)計后續(xù)到量產(chǎn)的進度將壓縮在約兩年。 發(fā)表于：7/1/2025 三星電子1c nm DRAM內(nèi)存工藝開發(fā)完成 7 月 1 日消息，綜合韓媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 報道，三星電子當(dāng)?shù)貢r間昨日下午對其第六代 10nm 級 DRAM 內(nèi)存工藝 1c 納米授予生產(chǎn)準(zhǔn)備批準(zhǔn) (PRA)。這標(biāo)志著三星完成 1c nm 內(nèi)存開發(fā)，準(zhǔn)備向量產(chǎn)轉(zhuǎn)移。 發(fā)表于：7/1/2025 ?…3456789101112…?
