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消息稱三星3nm項目總投資超過1160億美元
發表于：2024/6/25 8:30:45
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美國對中國半導體制裁下韓國設備最杯具
發表于：2024/6/25 8:30:43
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三星美國得州芯片工廠推遲至2026年投產
發表于：2024/6/24 8:35:29
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三星聯手聯發科完成基于vRAN的5G RedCap技術測試
發表于：2024/6/24 8:35:24
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三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術
發表于：2024/6/24 8:35:14
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三星Exynos 2500 3nm良率僅20%
發表于：2024/6/24 8:35:00
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三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單
發表于：2024/6/19 8:30:43
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HBM訂單2025年已預訂一空
發表于：2024/6/19 8:30:35
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三星宣布與Synposys合作優化2nm芯片
發表于：2024/6/18 8:38:50
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2024上半年中國可折疊OLED面板出貨量將首次超越韓國三星
發表于：2024/6/18 8:38:34
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淺析HBM五大關鍵門檻
發表于：2024/6/18 8:38:25
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三星公布引領AI時代半導體技術路線圖
發表于：2024/6/14 8:55:22
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三星祭出交鑰匙代工服務 加速AI芯片生產
發表于：2024/6/14 8:55:01
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中芯國際沖到全球前三：僅次于臺積電三星
發表于：2024/6/13 8:59:20
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美國芯片制造業迎來歷史性投資，狂砸資金新建工廠
發表于：2024/6/13 8:59:20
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三星公布芯片技術路線圖
發表于：2024/6/13 8:59:00
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消息稱三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成
發表于：2024/6/12 8:59:45
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三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術
發表于：2024/6/12 8:59:27
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三星被曝挖來蘋果Siri資深高管領導北美AI團隊
發表于：2024/6/12 8:59:25
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AMD與三星在3nm GAA上目前并無任何實質進展
發表于：2024/6/6 8:52:46
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高通：正考慮實施臺積電、三星電子雙源生產戰略
發表于：2024/6/6 8:52:46
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黃仁勛確認三星HBM3e未通過英偉達認證
發表于：2024/6/5 8:57:20
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芯片三巨頭發力CFET架構以備戰埃米時代
發表于：2024/6/4 9:00:00
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美光HBM內存能效優異迅速成為韓廠威脅
發表于：2024/6/3 11:24:24
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蘇姿豐暗示AMD將采用三星3nm制程
發表于：2024/5/31 9:00:42
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三星1nm工藝量產計劃提前至2026年
發表于：2024/5/31 9:00:39
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三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機器已停用
發表于：2024/5/31 9:00:25
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消息稱SK海力士將在1c DRAM生產中采用新型光刻膠
發表于：2024/5/30 11:13:05
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英特爾三星正尋求玻璃芯片技術挑戰臺積電
發表于：2024/5/29 8:36:36
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NAND Flash開始邁向300層
發表于：2024/5/29 8:36:15
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