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三星啟動其首批第九代V-NAND閃存量產
發表于：2024/4/23 8:59:57
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消息稱三星電子NAND產量大增 開工率重回90%高位
發表于：2024/4/22 8:50:22
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三星電子在美開設先進處理器實驗室聚焦 RISC-V IP 開發
發表于：2024/4/19 21:09:26
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三星發布Exynos 5400 5G調制解調器
發表于：2024/4/19 9:00:31
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三星計劃將TC-NCF用于16層HBM4內存生產
發表于：2024/4/19 9:00:23
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三星2025年下半年將量產第十代V-NAND
發表于：2024/4/16 8:50:42
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消息稱三星電子本季度NAND閃存產能環比提升30%
發表于：2024/4/16 8:50:13
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消息稱三星電子最快本月晚些時候量產第9代V-NAND閃存
發表于：2024/4/12 8:50:26
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三星：已完成16層混合鍵合HBM內存驗證
發表于：2024/4/9 23:30:30
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三星SK 海力士推進移動內存堆疊封裝技術量產
發表于：2024/4/9 23:14:05
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消息稱三星將獲美國60億至70億美元補貼
發表于：2024/4/9 23:11:39
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消息稱三星獲英偉達 AI 芯片2.5D封裝訂單
發表于：2024/4/8 21:33:01
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三星和SK海力士正在提高DRAM產量
發表于：2024/4/7 8:51:11
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三星S25全系放棄使用效能較差的Exynos
發表于：2024/4/7 8:51:00
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三星謀劃3D堆疊內存：10nm以下一路奔向2032年
發表于：2024/4/7 8:51:00
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2023Q4全球代工產值環比增長10%
發表于：2024/4/2 9:08:28
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京東方維信諾等中國廠商強勢沖擊三星AMOLED份額
發表于：2024/4/2 9:08:00
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2023年全球通信設備市場華為再次高居榜首
發表于：2024/3/29 9:08:00
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2023年第四季度按收入規模排名的七大半導體公司
發表于：2024/3/27 8:55:11
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三星3nm GAA工藝良率上升至30%至60%
發表于：2024/3/26 8:59:23
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消息稱三星將向英偉達獨家供應12層HBM3E
發表于：2024/3/25 8:59:00
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意法半導體宣布聯手三星推出18nm FD-SOI工藝
發表于：2024/3/22 9:00:17
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三星半導體公布新品路線圖
發表于：2024/3/21 9:00:21
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三星成立AGI計算實驗室，打造下一代AI芯片
發表于：2024/3/20 9:00:00
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三星正打造全新的PB級別SSD存儲方案
發表于：2024/3/20 9:00:00
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三星DRAM預估今年下半年產能恢復到2023年前水平
發表于：2024/3/18 9:00:44
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HBM競爭白熱化：三星獲AMD驗證，加速追趕SK 海力士
發表于：2024/3/15 9:00:30
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三星否認將MR-MUF堆疊方案引入HBM 生產
發表于：2024/3/15 9:00:24
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美國政府計劃向三星電子提供超60億美元資金
發表于：2024/3/15 9:00:00
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三星HBM芯片良品率偏低：最高僅20%
發表于：2024/3/14 9:00:57
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