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氮化鎵功率技術大熱 Transphorm創(chuàng)新HEMT結構“劍走偏鋒”高壓器件
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今年是氮化鎵發(fā)展非常重要一年
發(fā)表于：2/3/2016 10:00:00 AM
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瑞能半導體有限公司正式開業(yè)
發(fā)表于：1/20/2016 10:06:00 AM
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“助攻”電源設計 900V SiC MOSFET導通電阻創(chuàng)新低
發(fā)表于：1/5/2016 8:00:00 AM
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碳化硅（SiC）會是功率器件的終極選擇嗎?
發(fā)表于：7/7/2015 10:25:00 AM
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世界首家※！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET 導通電阻大大降低，有助于工業(yè)設備等大功率設備的小型化與低功耗化
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英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會議暨展覽會（APEC）
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法半導體 (ST) 通過CMP為原型設計廠商提供先進的BCD8sP智能功率技術
發(fā)表于：2/4/2015 9:41:22 AM
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意法半導體(ST)公布2014年第四季度和2015年第一季度分紅方案
發(fā)表于：12/9/2014 2:26:22 PM
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意法半導體(ST)公布2014上半年IFRS財報
發(fā)表于：9/2/2014 3:33:50 PM
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意法半導體(ST) 2014年第二季度凈收入扭虧為贏
發(fā)表于：7/25/2014 3:46:24 PM
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三菱電機在PCIM亞洲展亮相的六款新品大受觀眾青睞
發(fā)表于：6/24/2014 2:26:27 PM
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安捷倫率先推出適用于功率電路設計的功率器件分析儀
發(fā)表于：5/13/2014 4:53:53 PM
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IntersilISL8225M雙15A,單30A電流輸出穩(wěn)壓器參考設計方案
發(fā)表于：9/2/2013 12:00:00 AM
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富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產品
發(fā)表于：7/24/2013 9:56:19 AM
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意法半導體（ST）推出更加經久耐用的EEPROM，實現(xiàn)更簡單耐用的系統(tǒng)
發(fā)表于：6/18/2013 2:54:44 PM
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歐洲項目推動功率微電子未來
發(fā)表于：5/21/2013 4:26:11 PM
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如何解決驅動單元設計中的電磁兼容問題
發(fā)表于：4/19/2013 4:51:45 PM
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高效率、低應力、低污染、低輸出紋波通信開關電源研制
發(fā)表于：4/8/2013 3:57:05 PM
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PIM晶閘管功率組件的應用
發(fā)表于：1/23/2013 11:32:45 AM
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80kva/400a大功率變流器系統(tǒng)H橋低感疊層母線排設計
發(fā)表于：1/5/2013 11:40:08 AM
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意法半導體（ST）公布新戰(zhàn)略計劃
發(fā)表于：12/11/2012 11:22:25 AM
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來自瑞薩電子的日本羽毛球女子雙打選手贏得 2012中國羽毛球公開賽女雙亞軍
發(fā)表于：11/21/2012 5:10:02 PM
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富士通半導體明年計劃量產氮化鎵功率器件 滿足高效電源單元供應市場需求
發(fā)表于：11/21/2012 5:06:23 PM
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Teledyne LeCroy推出為高清晰度示波器 HDO4000/6000系列定制的電源分析軟件包
發(fā)表于：10/31/2012 9:31:59 AM
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吉時利將晶體管圖示儀的量程和簡化性與參數(shù)分析儀精度和靈活性完美結合
發(fā)表于：10/22/2012 4:40:09 PM
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安森美半導體加入imec的硅基氮化鎵研究項目
發(fā)表于：10/12/2012 4:51:25 PM
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科銳推出150毫米 4H N型碳化硅外延片
發(fā)表于：9/17/2012 1:50:53 PM
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瑞薩電子第七代650V和1250V IGBT建立了一個新的技術標準
發(fā)表于：7/25/2012 4:12:15 PM
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科銳發(fā)布 Verilog-A 無線射頻器件模型，加速 GaN 在 4G/LTE 電信基礎設施領域的采用
發(fā)表于：7/19/2012 2:06:17 PM
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