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美光加碼投資臺(tái)灣建立第二研發(fā)中心
發(fā)表于：8/13/2024 10:30:52 AM
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SK海力士獲美國(guó)芯片法案4.5億美元補(bǔ)貼
發(fā)表于：8/7/2024 10:10:00 AM
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2025年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將達(dá)2340億美元
發(fā)表于：8/7/2024 9:54:00 AM
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傳中企囤積三星HBM芯片以應(yīng)對(duì)美出口管制
發(fā)表于：8/7/2024 9:15:00 AM
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三星芯片主管警告：不改革將陷入“惡性循環(huán)”
發(fā)表于：8/2/2024 8:16:00 AM
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消息稱SK海力士進(jìn)軍2.5D先進(jìn)封裝硅中介層
發(fā)表于：7/17/2024 10:15:00 PM
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傳稱三星將轉(zhuǎn)移30%產(chǎn)能生產(chǎn)HBM
發(fā)表于：7/17/2024 10:10:00 PM
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信越推出新型后端制造設(shè)備可直接實(shí)現(xiàn)HBM內(nèi)存2.5D集成
發(fā)表于：7/12/2024 9:21:00 AM
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報(bào)告稱HBM芯片明年月產(chǎn)能突破54萬(wàn)顆
發(fā)表于：7/11/2024 9:08:00 AM
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三星成立新的HBM團(tuán)隊(duì)推進(jìn)HBM3E和HBM4開發(fā)工作
發(fā)表于：7/8/2024 8:37:00 AM
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（更新：三星否認(rèn)）消息稱三星HBM內(nèi)存芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
發(fā)表于：7/4/2024 8:23:00 AM
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美光2025年欲搶下25%的HBM市場(chǎng)
發(fā)表于：7/2/2024 8:36:00 AM
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HBM旺盛需求帶動(dòng)半導(dǎo)體硅片需求倍增
發(fā)表于：7/2/2024 8:32:00 AM
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SK海力士公布近750億美元投資計(jì)劃
發(fā)表于：7/1/2024 12:29:00 PM
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三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：6/24/2024 8:35:14 AM
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消息稱美光正在全球擴(kuò)張HBM內(nèi)存產(chǎn)能
發(fā)表于：6/20/2024 8:35:40 AM
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HBM訂單2025年已預(yù)訂一空
發(fā)表于：6/19/2024 8:30:35 AM
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消息稱三星將推出HBM三維封裝技術(shù)SAINT-D
發(fā)表于：6/18/2024 8:38:45 AM
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淺析HBM五大關(guān)鍵門檻
發(fā)表于：6/18/2024 8:38:25 AM
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HBM供不應(yīng)求 美光廣島新廠2027年量產(chǎn)
發(fā)表于：6/13/2024 8:59:13 AM
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英偉達(dá)今年將消耗全球47%的HBM
發(fā)表于：6/12/2024 8:59:30 AM
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三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：6/12/2024 8:59:27 AM
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傳美國(guó)將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口
發(fā)表于：6/12/2024 8:59:00 AM
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SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)拜訪臺(tái)積電 強(qiáng)化HBM芯片制造合作
發(fā)表于：6/11/2024 8:50:07 AM
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三星否認(rèn)自家HBM內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
發(fā)表于：5/27/2024 8:50:40 AM
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美光科技或向HBM專利持有者支付94億元賠償金
發(fā)表于：5/27/2024 8:50:37 AM
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三星HBM內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
發(fā)表于：5/24/2024 2:14:24 PM
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美光：已基本完成2025年HBM內(nèi)存供應(yīng)談判
發(fā)表于：5/23/2024 8:38:21 AM
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機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%
發(fā)表于：5/21/2024 8:50:16 AM
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三星SK海力士將超過(guò)20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM
發(fā)表于：5/15/2024 8:39:29 AM
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