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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業CoolSiC MOSFET 650 V G2
發表于:2025/2/21 16:05:00
第 4 代碳化硅技術:重新定義高功率應用的性能和耐久性
發表于:2025/2/19 22:35:00
華碩侵犯力士科技MOSFET專利被判賠償1050萬美元
發表于:2025/2/17 11:08:36
Vishay推出性能先進的新款40 V MOSFET
發表于:2024/12/31 22:09:06
CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
發表于:2024/12/31 17:40:11
意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術的標準閾壓40V MOSFET
發表于:2024/12/16 10:43:05
英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET
發表于:2024/11/26 9:39:36
強茂推出SGT MOSFET第一代系列:創新槽溝技術
發表于:2024/11/22 23:29:09
Nexperia推出新款120 V/4 A半橋柵極驅動器,進一步提高工業和汽車應用的魯棒性和效率
發表于:2024/11/21 22:48:42
Vishay 新款150 V MOSFET具備業界領先的功率損耗性能
發表于:2024/11/21 22:03:45
東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200 V SiC MOSFET
發表于:2024/11/18 0:05:04
Nexperia與KOSTAL就先進車規級寬禁帶器件達成戰略合作伙伴關系
發表于:2024/11/6 23:53:14
業界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極管系列
發表于:2024/10/22 12:05:00
Nexperia現提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級小信號MOSFET
發表于:2024/9/12 17:35:40
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術
發表于:2024/9/3 11:10:21
Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產品組合可提供更高的設計靈活性
發表于:2024/8/13 7:12:54
Magnachip推出用于智能手機的第8代短溝道MOSFET
發表于:2024/8/1 8:42:00
PANJIT推出最新高效能60V/100V/150V車規級 MOSFET系列
發表于:2024/6/13 18:45:00
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
發表于:2024/5/30 17:13:44
Vishay推出具有業內先進水平的小型頂側冷卻
發表于:2024/5/13 15:17:05
意法半導體車規MDmesh DM9超結MOSFET提升硅片能效
發表于:2024/4/17 16:29:50
英飛凌為汽車應用推出業內導通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS? 7
發表于:2024/4/16 21:30:59
Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達到業內先進水平
發表于:2024/3/25 16:47:00
英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET
發表于:2024/3/21 20:35:22
英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列
發表于:2024/3/14 17:44:00
英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2
發表于:2024/3/13 10:29:00
Vishay推出TrenchFET® 第五代功率MOSFET
發表于:2024/2/23 15:59:00
利用低電平有效輸出驅動高端MOSFET輸入開關實現系統電源循環
發表于:2024/1/31 14:24:00
Nexperia推出首款SiC MOSFET
發表于:2023/11/30 13:11:00
Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產品達成戰略合作伙伴關系
發表于:2023/11/14 16:52:00
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